[发明专利]用于解决浅沟槽隔离刻蚀中的球型缺陷的方法和系统

权利要求书

1.一种用于解决浅沟槽隔离刻蚀中的球型缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

收集机台运行时反馈的与球型缺陷成因相关的参数；

对所述参数进行分析以确定球型缺陷高发参数区域；以及

控制所述参数以避开所述球型缺陷高发参数区域；

其中，所述参数包括第一参数和第二参数，所述第一参数为静电卡盘的漏电流，所述第二参数为晶圆凹口对应在所述静电卡盘上的位置；

所述对所述参数进行分析以确定球型缺陷高发参数区域的步骤进一步包括：

将针对当前晶圆收集的所述第一参数和所述第二参数进行拟合分析，以确定所述第一参数大于预定阈值时所对应的所述第二参数的数值区域，以作为所述球型缺陷高发参数区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述参数以避开所述球型缺陷高发参数区域的步骤进一步包括：

记录所述球型缺陷高发参数区域中的数值作为危险数值，并在后续晶圆的所述第二参数的数值到达所述危险数值之前修改所述后续晶圆的所述第二参数的数值，以避免所述后续晶圆上产生球型缺陷。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当确定所述第一参数大于预定阈值时，将所述第二参数加上预设值以修改所述第二参数的数值，以避免下一片晶圆上产生球型缺陷。

4.一种用于解决浅沟槽隔离刻蚀中的球型缺陷的系统，其特征在于，所述系统包括：

收集模块，用于收集机台运行时反馈的与球型缺陷成因相关的参数；

分析模块，用于对所述参数进行分析以确定球型缺陷高发参数区域；以及

控制模块，用于控制所述参数以避开所述球型缺陷高发参数区域；

其中，所述参数包括第一参数和第二参数，所述第一参数为静电卡盘的漏电流，所述第二参数为晶圆凹口对应在所述静电卡盘上的位置；

所述分析模块进一步用于：

将针对当前晶圆收集的所述第一参数和所述第二参数进行拟合分析，以确定所述第一参数大于预定阈值时所对应的所述第二参数的数值区域，以作为所述球型缺陷高发参数区域。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述控制模块进一步用于：

记录所述球型缺陷高发参数区域中的数值作为危险数值，并在后续晶圆的所述第二参数的数值到达所述危险数值之前修改所述后续晶圆的所述第二参数的数值，以避免所述后续晶圆上产生球型缺陷。

6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，

所述分析模块还用于确定所述第一参数是否大于预定阈值；并且

所述控制模块还用于在当所述第一参数大于预定阈值时，将所述第二参数加上预设值以修改所述第二参数的数值，以避免下一片晶圆上产生球型缺陷。