[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其课题在于改善半导体器件的性能。鳍片(FA)包括：区域(FA1)；以及区域(FA2)，其相对于区域(FA1)配置于X轴方向的正向侧。控制栅电极(CG)将区域(FA1)的上表面、区域(FA1)的Y轴方向的正向侧的侧面(SS1)、以及区域(FA1)的Y轴方向的负向侧的侧面(SS2)覆盖，存储器栅电极(MG)将区域(FA2)的上表面、区域(FA2)的Y轴方向的正向侧的侧面(SS3)、以及区域(FA2)的Y轴方向的负向侧的侧面(SS4)覆盖。区域(FA2)的上表面低于区域(FA1)的上表面，侧面(SS3)在Y轴方向上相对于侧面(SS1)配置于Y轴方向的负向侧。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造方法，例如能够优选用于具备形成于半导体衬底的半导体元件的半导体器件及半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体衬底上具有形成有例如非易失性存储器等存储器单元等的存储器单元区域的半导体器件得到广泛应用。有时例如作为非易失性存储器，形成由使用MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor：金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体)膜的分栅式(split gate)单元构成的存储器单元。此时，存储器单元由具有控制栅电极的控制晶体管、和具有存储器栅电极的存储器晶体管这两个MISFET(Metal InsulatorSemiconductor Field Effect Transistor：金属绝缘体半导体场效应晶体管)形成。

该存储器栅电极是通过在控制栅电极的侧面上隔着绝缘膜呈侧壁间隔件状地残留导电膜而形成的。另外，在存储器栅电极与控制栅电极之间、以及存储器栅电极与半导体衬底之间形成有在内部具有电荷蓄积部的绝缘膜。

日本特开2006-332143号公报(专利文献1)中公开了如下技术：一种具有在半导体衬底形成的非易失性存储元件的半导体器件，非易失性存储元件具有控制栅电极、以及与控制栅电极相邻设置的存储器栅电极。

日本特开2006-41354号公报(专利文献2)中公开了如下技术：在半导体器件中，在半导体衬底的表面形成凸型形状的活性区域，以跨越该凸型的活性区域的方式配置选择栅极或者存储器栅极。

专利文献1：日本特开2006-332143号公报

专利文献2：日本特开2006-41354号公报

在这种具有由分栅式单元构成的存储器单元的半导体器件中，例如通过对绝缘膜的内部的电荷蓄积部注入电子而将数据写入。另外，例如通过对绝缘膜的内部的电荷蓄积部注入空穴而将数据擦除。

但是，有时因电荷蓄积部的形状而使得写入数据时对电荷蓄积部注入的电子的分布、与擦除数据时对电荷蓄积部注入的空穴的分布互不相同。特别是在控制栅电极和存储器栅电极跨越作为突出部的鳍片的情况下，在鳍片的上表面侧以及两个侧面侧，写入数据时对电荷蓄积部注入的电子的分布、与擦除数据时对电荷蓄积部注入的空穴的分布容易变得互不相同。在这种情况下，当反复执行多次写入动作和擦除动作时，在包含电荷蓄积部的绝缘膜中残留的空穴的数量增加，存储器单元的保持特性下降，从而无法改善半导体器件的特性。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够改善性能的半导体器件及半导体器件的制造方法。

至于其它课题和新特征，通过本说明书的记述及附图会变得明确。

根据一个实施方式，半导体器件具有从半导体衬底的主面突出的突出部，突出部包括第一区域、以及在俯视时相对于第一区域配置于第一方向的第一侧的第二区域。控制栅电极将第一区域的第一上表面、第一区域的第二方向的第二侧的第一侧面、以及第一区域的第二方向的与第二侧相反侧的第二侧面覆盖，第二栅电极将第二区域的第二上表面、第二区域的第二侧的第三侧面、以及第二区域的与第二侧相反侧的第四侧面覆盖。第二上表面低于第一上表面，第三侧面在第二方向上相对于第一侧面配置于第二侧的相反侧。