[发明专利]一种具有新型叠层结构的LTCC基板有效

专利信息
申请号: 201611007435.4 申请日: 2016-11-16
公开(公告)号: CN106653700B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 赵健鹏;张志刚;朱伟峰;王钊;时国盛;李玉刚;逄春辉 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
主分类号: H01L23/15 分类号: H01L23/15;H01L23/48
代理公司: 青岛智地领创专利代理有限公司 37252 代理人: 肖峰
地址: 266555 山东省*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 新型 结构 ltcc 基板
【说明书】:

发明提供了一种具有新型叠层结构的LTCC基板,由多层生瓷片叠层烧结而成,相邻的生瓷片之间印刷有金属印刷层,金属印刷层的边沿均向内缩进。底下的三层金属印刷层的边沿向内缩进0.3毫米;第四层金属印刷层为下部射频地层,下部射频地层的边沿有一部分凸起,凸起部分的前部边沿向内缩进0.05毫米,下部射频地层的其他边沿向内缩进0.3毫米。本发明提供的LTCC基板,在射频地的设计经过仿真计算做“凸”字形处理,叠层环节外形尺寸不同的两层生瓷片,大面积铺地设计时,在边缘连接处做金属印刷层开孔处理,开孔需要避开LTCC层与层之间互联的金属化孔。此种基板结构制成的LTCC模块具有尺寸小、质量轻的优点,在不增加重量和尺寸的基础上,提高了LTCC模块的气密性。

技术领域

本发明涉及LTCC基板领域,具体涉及一种具有新型叠层结构的LTCC基板。

背景技术

随着通信技术及现代高新技术水平的不断发展,对电子系统的体积、重量和性能的要求越来越高,特别是星载、弹载、机载以及单兵使用的各类武器系统所需要的电子组件、部件,更是向着短、小、轻、薄和高可靠、高性能、低成本的方向快速发展。目前在微波毫米波频段,单一的MMIC芯片尚无法实现复杂系统级集成,而原有的微波混合集成电路已经不能满足高密度系统集成的需要,90年代发展起来的多芯片组件技术是解决该问题的新方法,该技术将多个集成电路芯片和其它片式元器件组装在一块高密度多层互连基板上,成为一个独立的系统级组件,解决了系统发展的矛盾,是目前能最大限度的发挥高集成度,高速单片IC性能,实现整机小型化、高可靠、高性能的最有效的途径之一。

低温共烧陶瓷(LTCC,Low Temperature Co-fired Ceramic)技术是一种新型的多芯片组件技术工艺。将低温烧结陶瓷粉制成生瓷带,切片成型,在成型的生瓷带上打孔,孔注浆,导体、电阻印刷等工艺制出所需要的电路图形,并且可以将多个无源元件埋入其中,然后多层叠压在一起,在900℃下烧结,制成三维电路网络的无源集成组件,也可制成内置无源元件的三维电路基板,在其表面可以贴装IC和有源器件,制成无源/有源集成的功能模块。基于此技术的模块具有尺寸小、重量轻、损耗低和大规模制造成本低等众多优点,该技术在现代无线通信及军事应用等众多领域的应用得到迅猛发展。为实现恶劣环境下微波模块的正常工作,对微波模块的气密性也提出了新要求。然而传统的小型化、轻量化LTCC模块多采用底板、LTCC基板、围框、盖板的组成结构,如图1所示,该结构中的LTCC基板裸露在外,模块气密性较差。影响气密性的因素主要有两点,一是模块盖板、围框及底板等机械件的焊接水平;二是LTCC基板层与层之间的不同材料导致的不完全气密。现有技术在提高气密性方面往往采用全金属封装的方法,将LTCC基板整理封装到金属壳体内部,该方法虽然提高了气密性,但是不可避免的增加了重量和尺寸,而且引入了新的射频转接器件增加了损耗和反射。

发明内容

本发明提供了一种具有新型叠层结构的LTCC基板,目的是在不增加重量和尺寸的基础上,通过改善LTCC基板的叠层结构提高LTCC模块的气密性。

本发明采用以下的技术方案:

一种具有新型叠层结构的LTCC基板,由多层生瓷片叠层烧结而成,相邻的生瓷片之间印刷有金属印刷层,所述金属印刷层的边沿均向内缩进;

其中,底下的三层金属印刷层的边沿向内缩进0.3毫米;

第四层金属印刷层为下部射频地层,下部射频地层的边沿有一部分凸起,凸起部分的前部边沿向内缩进0.05毫米,下部射频地层的其他边沿向内缩进0.3毫米;

优选地,所述在金属印刷层的第六层和第七层的边缘相接触的位置开设有多个孔,孔为正方形或者长条形。

优选地,所述下部射频地层的边沿凸起部分靠近射频传输端口的射频地。

优选地,所述生瓷片为Ferro-A6S/M材料,LTCC基板每层的厚度为0.1毫米。

本发明具有的有益效果是:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十一研究所,未经中国电子科技集团公司第四十一研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611007435.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top