[发明专利]一种三轴磁通门传感器有效
| 申请号： | 201611005079.2 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106569154B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 雷冲;周勇 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微机电系统 三轴磁通门传感器 磁通门传感器 单轴 玻璃键合 芯片 正交的 微机电系统领域 聚酰亚胺薄膜 定位固定 激励线圈 检测线圈 立方厘米 电极 共顶点 衬底 磁芯 功耗 键合 玻璃 | ||
1.一种三轴磁通门传感器，其特征在于，包括硅立方基座和三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片，所述三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片分别位于所述硅立方基座的共顶点正交的三个平面上，通过硅-玻璃键合技术将所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片键合到所述硅立方基座表面并精确定位固定，所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片包含玻璃衬底，所述玻璃衬底用于键合到所述硅立方基座的表面；所述三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片的磁敏感方向分别沿正交的三个方向探测磁场的x、y、z三个分量值。
2.如权利要求1所述的三轴磁通门传感器，其特征在于，所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片还包含激励线圈、检测线圈、磁芯、电极和聚酰亚胺薄膜。
3.如权利要求1所述的三轴磁通门传感器，其特征在于，所述硅立方基座的长宽高尺寸均为1厘米。
4.如权利要求1所述的三轴磁通门传感器，其特征在于，所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片尺寸为长度1厘米，宽度0.5厘米，厚度1.2毫米。
5.如权利要求1或2所述的三轴磁通门传感器，其特征在于，所述玻璃衬底厚度为1毫米。
6.如权利要求1所述的三轴磁通门传感器，其特征在于，键合过程中依靠所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片和所述硅立方基座二者对应的键合定位对准符号进行精确定位。
7.如权利要求6所述的三轴磁通门传感器，其特征在于，所述键合定位对准符号采用微电铸工艺制备。
8.如权利要求6所述的三轴磁通门传感器，其特征在于，所述键合定位对准符号材料为电铸铜。
9.如权利要求1所述的三轴磁通门传感器，其特征在于，所述硅立方基座表面的键合定位对准符号采用数控精密机械加工制备。
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