[发明专利]X射线高压发生器、谐振变换器的控制电路和控制方法有效
申请号: | 201611004204.8 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN106358354B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 祝国平;褚旭 | 申请(专利权)人: | 上海联影医疗科技有限公司;中国科学院上海高等研究院 |
主分类号: | H05G1/30 | 分类号: | H05G1/30;H02M3/335 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 201807 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 高压发生器 谐振 变换器 控制电路 控制 方法 | ||
技术领域
本发明主要涉及X射线高压发生器,尤其涉及一种X射线高压发生器的谐振变换器的控制电路和控制方法。
背景技术
X射线高压发生器用于X射线治疗设备、X射线诊断设备、X射线计算机体层摄影设备(CT)等设备中。在大功率X射线高压发生器中,为了满足不同的临床需求,需要高压发生器的输出电流和电压在大范围内变化。以80kW的CT高压发生器为例,其输出电压在60~140kV之间变化,输出电流在10~1000mA之间变化。此外,为了降低系统成本,增强系统对不同网电的适应能力,其输入网电变化范围通常达到400(-20%~10%)VAC。因此,大功率X射线高压发生器的一个基本要求就是能适应宽范围输入输出的要求。
为了满足长时间放线的要求,需要开关管具有良好的散热能力,因此需要选用绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为开关器件。IGBT其具有通态压降小,散热能力强的优点,而且单位容量的成本要远低于MOSFET。IGBT具有较大的拖尾电流,为了尽可能减小IGBT的开关损耗,希望其能工作在零电流开关状态。
X射线设备对高压发生器的体积和重量有较高的要求,特别是在CT应用中,由于高压发生器放置在高速旋转的机架上面,其对体积和重量更是严格。因此,这就要求高压发生器具有较高的开关频率,以尽可能的减小高压变压器和整流电路的体积和成本。
对高压变压器而言,为了满足原副边的绝缘要求,其原副边的耦合程度有限,这导致其漏感不可忽略;而为了满足副变高压输出的要求,副变匝数通常较多,这将使其绕组分布电容不可忽略。
因此总体来说,逆变电路通常有以下要求:①需要逆变电路有较高的带载能力,以适应宽范围输出的要求;②尽可能的减小流过开关管的电流峰值以降低成本,同时减小开关管的关断损耗;③保持较高的开关频率,以减小高压变压器和整流电路的体积;④逆变电路需要适应高压变压器较大的寄生电容和寄生电感的影响。
基于LCC串并联谐振变换器的X射线高压发生器10的电路图如图1所示,包括开关管Q1-Q4组成的逆变电路11,电感Ls、电容Cs和电容Cp组成的串并联谐振电路12、高频高压变压器Tr、倍压整流器13和X射线管14。逆变电路11、串并联谐振电路12、高频高压变压器Tr和倍压整流器13组成串并联谐振逆变电路,输出高电压到X射线管14。与串联谐振相比,LCC串并联谐振可以大幅减小轻载环流,提高轻载效率。而且LCC串并联谐振电路12在可以将变压器Tr的寄生电感与分布电容包含进谐振腔,避免变压器寄生参数的不良影响。
针对上述的要求,图1所示的谐振变换器的一种调制方式是采用DCM模式下的定导通时间PFM调制。具体地说,开关管的导通时间Ton固定,通过改变开关管的开关周期Ts来调节输出电压。图2给出此种调制方式的主要波形图。这一调制方式不仅可以很方便的实现开关管的零电压开关(ZCS),而且可以减小工作频率范围。因此,定导通时间PFM调制的LCC串并联谐振逆变电路很适合应用于高压大功率场合。
然而,定导通时间Ton的PFM调制的LCC串并联谐振变换器有一个重要不足——轻载特性较差。轻载时为了控制输出电压,开关频率需要大幅减小,甚至是减小到几百赫兹,才能保证轻载输出,这将导致高压变压器和逆变电路体积重量大幅增大。在X射线高压发生器中,轻载更轻,因此问题更严重,这是一个不可接受的缺陷。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种X射线高压发生器及其谐振变换器的控制电路和控制方法,具有改善的轻载特性。
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