[发明专利]多层平面多波段天线有效
| 申请号: | 201611001875.9 | 申请日: | 2012-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN106887707B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
| 发明(设计)人: | 福雷斯特·詹姆斯·布莱恩;赖安·詹姆斯·奥尔西;马修·罗伯特·福斯特 | 申请(专利权)人: | 多康公司 |
| 主分类号: | H01Q7/00 | 分类号: | H01Q7/00;H01Q1/48;H01Q1/38;H01Q9/04;H01Q9/28;H01Q9/30;H01Q21/24;H01Q21/30;H01Q25/00;H01Q5/378 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;穆云丽 |
| 地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多层 平面 波段 天线 | ||
1.一种多层平面多波段天线,包括:
具有磁环走线的磁环,所述磁环位于第一平面上并且被配置成生成磁场,所述磁环走线具有第一半部走线和第二半部走线,所述第一半部走线形成两个或更多个水平部段以及两个或更多个垂直部段,所述两个或更多个水平部段以及所述两个或更多个垂直部段之间形成基本上90度的角,所述两个或更多个水平部段当中的第一水平部段发射低频段的第一电场,所述两个或更多个水平部段当中的第二水平部段发射高频段的第二电场,所述第二半部走线包括至少第一垂直部段和第二垂直部段,其中,所述第一半部走线的所述两个或更多个垂直部段中的一个垂直部段电容性抵消所述第二半部走线的所述第二垂直部段,其中,所述磁环具有增加至所述多波段天线的总感抗的第一感抗;以及
位于在所述第一平面下方的第二平面上的寄生电场辐射器,其中,所述寄生电场辐射器被定位在所述第二平面上,以使得所述寄生电场辐射器的至少一半被定位在所述第二平面上的、具有与所述磁环对准的外周的区域的内部,所述寄生电场辐射器未耦接至所述磁环,所述寄生电场辐射器被配置成发射所述低频段的第三电场,所述第三电场加强了所述第一电场并且与所述磁场正交,其中,所述寄生电场辐射器具有增加至所述多波段天线的总容抗的第一容抗,其中,所述寄生电场辐射器与所述磁环之间的物理布置导致增加至所述总容抗的第二容抗,并且其中,所述总感抗与所述总容抗基本上匹配。
2.根据权利要求1所述的天线,其中,所述寄生电场辐射器将所述第一电场和所述第二电场重新排列成平行于所述第三电场。
3.根据权利要求1所述的天线,其中,将所述寄生电场辐射器沿着所述第二平面定位于靠近所述磁环的边缘增加了所述寄生电场辐射器的电长度。
4.根据权利要求1所述的天线,其中,将所述寄生电场辐射器沿着所述第二平面定位于靠近所述磁环的中心减小了所述电场辐射器的电长度。
5.根据权利要求1所述的天线,其中,所述两个或更多个水平部段的一个或更多个第一角部和所述两个或更多个垂直部段的一个或更多个第二角部是以一定角度切割的。
6.根据权利要求1所述的天线,其中,所述第一半部走线的所述两个或更多个水平部段被布置成使得所述两个或更多个水平部段所辐射的电场相加。
7.根据权利要求1所述的天线,其中,所述第一半部走线的所述两个或更多个垂直部段中的所述一个垂直部段和所述第二半部走线的所述第二垂直部段减小了所述磁环的电长度。
8.根据权利要求1所述的天线,还包括:位于所述第二平面上的负载电容器,所述负载电容器具有增加至所述总容抗的第三容抗。
9.根据权利要求8所述的天线,其中,所述负载电容器被定向成与所述第一电场和所述第二电场正交。
10.根据权利要求1所述的天线,其中,所述低频段和所述高频段是非谐波相关的。
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