[发明专利]封装结构

说明书

技术领域

本发明的一些实施例涉及一种封装结构，尤其涉及具有重布结构的封装结构。

背景技术

半导体装置已运用在各种电子应用上，如个人电脑、手机、数码相机以及其他的电子设备。半导体装置的制造通常会依序将材料的各绝缘层或介电层、导电层及半导体层沉积在半导体基板上，并且利用光刻制造及蚀刻制造将各材料层图案化以形成电路元件及构件在半导体基板上。通常在单个半导体晶片上制造许多集成电路，且通过沿着切割线切割集成电路，以在晶片上切割出各个晶粒。举例而言，接着将个别的晶粒分别封装在多晶片模块中或其它类型的封装结构中。

半导体产业通过持续地降低最小元件尺寸，不断增加各种电子元件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，使得更多的元件可集中在一既定面积中。在一些应用中，这些较小型的电子元件也使用采用较小面积及/或较低高度的较小封装体。

新的封装技术已开始发展，例如堆叠式封装(package on package；PoP)，此新的封装技术将具有一装置晶粒的一顶封装体接合至具有另一装置晶粒的一底封装体。通过采用新的封装技术，将各种具有不同或相似功能的封装体整合在一起。这些相对新型的半导体装置的封装技术面临制造上的挑战，且这些技术并非全方面令人满意。

发明内容

本发明的一些实施例的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一个缺陷，提供一种封装结构，以提升可靠度。

根据一些实施例，提供封装结构。封装结构包含集成电路晶粒。封装结构也包含环绕集成电路晶粒的封装层，在集成电路晶粒与封装层之间具有界面。封装结构还包含位于封装层与集成电路晶粒之下的重布结构，重布结构包含电性连接至集成电路晶粒的多个主动导线。重布结构也包含位于多个主动导线之间的虚设导线，虚设导线延伸跨过界面。

在一些实施例中，其中虚设导线和主动导线位于重布结构的一大抵上相同的水平面。

在一些实施例中，其中虚设导线和主动导线包含相同材料。

在一些实施例中，其中虚设导线大抵上平行于主动导线。

在一些实施例中，其中重布结构还包含额外的虚设导线物理性地连接至虚设导线。

在一些实施例中，其中虚设导线为一连续线或包含多个不连续的区段。

在一些实施例中，其中虚设导线比主动导线短。

在一些实施例中，其中虚设导线的面积比主动导线的面积小。

根据一些实施例，提供封装结构。封装结构包含包括半导体基底的集成电路晶粒。封装结构也包含直接接触半导体基底的边界的模塑成型化合物。封装结构还包括位于集成电路晶粒及模塑成型化合物之下的钝化层，钝化层具有顶表面直接接触模塑成型化合物。此外，封装结构包含位于钝化层中的第一重布线，第一重布线电性连接至集成电路晶粒。封装结构也包含位于钝化层中的第二重布线，第二重布线电性连接至第一重布线，第一重布线较第二重布线更靠近钝化层的顶表面。封装结构还包含位于钝化层中的虚设特征部件，虚设特征部件及第一重布线大致上位于同一层，虚设特征部件重叠半导体基底的边界且沿着交叉于边界的方向延伸。

在一些实施例中，其中虚设特征部件进一步地与第二重布线部分地重叠。

在一些实施例中，其中虚设特征部件的表面大抵上与第一重布线的表面共平面。

在一些实施例中，上述封装结构还包含保护层设置于钝化层与半导体基底之间，以及连接器位于保护层中，其中连接器与第一重布线重叠，而不重叠于虚设特征部件。

在一些实施例中，其中保护层埋置于模塑成型化合物中，且与虚设特征部件部分地重叠。

在一些实施例中，其中虚设特征部件为一连续线或包含多个不连续的区段。

根据一些实施例，提供封装结构。封装结构包含模塑成型化合物。封装结构也包含嵌入模塑成型化合物中的半导体基底，在模塑成型化合物与半导体基底之间具有界面。封装结构还包含位于半导体基底与模塑成型化合物之下的钝化层，钝化层具有直接接触模塑成型化合物的顶表面及具有与顶表面相对的底表面。此外，封装结构包含位于钝化层中的不同层的多个重布线，钝化层的顶表面比钝化层的底表面更靠近多个重布线之中的最顶层重布线。封装结构也包含位于钝化层中的虚设区段，虚设区段及最顶层重布线大致上位于同一层，虚设区段位于界面的正下方。

在一些实施例中，其中从俯视图观之，虚设区段分布在上述界面的两个相反侧。

在一些实施例中，其中虚设区段排列在最顶层重布线之间的一数组中。