[发明专利]感测放大器电路有效
| 申请号: | 201610993939.1 | 申请日: | 2016-11-11 | 
| 公开(公告)号: | CN106997776B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 | 
| 发明(设计)人: | 赖淑琳;林书玄;黄世煌 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | G11C15/04 | 分类号: | G11C15/04 | 
| 代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 白华胜;王蕊 | 
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 放大器 电路 | ||
1.一种感测放大器电路,包含:
单端感测放大器;
隔离开关,耦接在偏置节点与存储器设备的第一线之间,接收该单端感测放大器的输出并选择性隔离该偏置节点与该第一线,以回应该单端感测放大器的该输出,其中该第一线耦接到该存储器设备的多个存储器单元;以及
锁存电路,耦接到该偏置节点并在该偏置节点输出电压作为输出信号,以回应控制信号。
2.如权利要求1所述的感测放大器电路,其特征在于,该单端感测放大器为NOR门,包含第一输入端,接收第一预充电信号,第二输入端耦接到该第一线以及输出端耦接到该隔离开关。
3.如权利要求1所述的感测放大器电路,其特征在于,该隔离开关为晶体管包含第一电极耦接到该偏置节点,第二电极耦接到该第一线与控制电极耦接到该单端感测放大器的输出端。
4.如权利要求1所述的感测放大器电路,其特征在于,该第一线为匹配线或该存储器设备的比特线。
5.如权利要求1所述的感测放大器电路,其特征在于,更包含:
第一晶体管,耦接到该第一线且选择性被开启来充电该第一线,以回应于第二预充电信号。
6.如权利要求1所述的感测放大器电路,其特征在于,更包含:
第二晶体管,耦接到该偏置节点并选择性被开启来对该偏置节点的电压充电,以回应第一预充电信号。
7.如权利要求1所述的感测放大器电路,其特征在于,更包含:
第三晶体管,耦接到该隔离开关与该偏置节点,
其中该第三晶体管与该隔离开关组成反馈回路,以保持该单端感测放大器的输出端的电压。
8.如权利要求7所述的感测放大器电路,其特征在于,该第三晶体管包含第一电极耦接到第一供电电压,第二电极耦接到该单端感测放大器的该输出端以及控制电极耦接到该偏置节点。
9.如权利要求1所述的感测放大器电路,其特征在于,更包含:
保持电路,耦接在该偏置节点与第一供电电压之间,并选择性保持该偏置节点的电压。
10.如权利要求9所述感测放大器电路,其特征在于,该保持电路包含:
第四晶体管,包含第一电极耦接到该第一供电电压,第二电极耦接到该偏置节点以及控制电极;以及
反相器,包含输入端耦接到该偏置节点与输出端耦接到该第四晶体管的该控制电极。
11.如权利要求1所述的感测放大器电路,其特征在于,该存储器设备为单比特线半导体存储器设备。
12.一种感测放大器电路,包含:
单端感测放大器,包含第一输入端,接收第一预充电信号,第二输入端耦接到存储器设备的第一线以及输出端耦接到隔离开关;
该隔离开关,耦接在偏置节点与该第一线之间,接收该单端感测放大器的输出并选择性隔离该偏置节点与该第一线,以回应该单端感测放大器的该输出,其中该第一线耦接到该存储器设备的多个存储器单元;以及
锁存电路,耦接到该偏置节点并在该偏置节点输出电压作为输出信号,以回应控制信号。
13.如权利要求12所述的感测放大器电路,其特征在于,该第一线为该存储器设备的匹配线或比特线。
14.如权利要求12所述的感测放大器电路,其特征在于,更包含:
第一晶体管,耦接到该第一线并选择性开启来充电该第一线,以回应第二预充电信号。
15.如权利要求12所述的感测放大器电路,其特征在于,更包含:
第二晶体管,耦接到该偏置节点并选择性开启来对该偏置节点的电压充电,以回应该第一预充电信号。.
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