[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部；

形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖鳍部部分顶部和侧壁表面；

对位于所述伪栅结构下方的鳍部进行离子注入；

在所述离子注入之后，去除所述伪栅结构；

去除伪栅结构后，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部部分顶部和侧壁表面。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述对鳍部进行离子注入的步骤包括：沿垂直于衬底表面方向对所述鳍部进行离子注入。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述对鳍部进行离子注入的步骤为调节鳍式场效应晶体管阈值电压的离子注入。

4.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管为N型晶体管，所述进行离子注入的步骤中，对所述鳍部进行B离子注入；

或者，所述鳍式场效应晶体管为P型晶体管，所述进行离子注入的步骤中，对所述鳍部进行P离子或As离子注入。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述对鳍部进行离子注入的步骤包括：对所述鳍部进行多次离子注入，所述多次离子注入分别是对鳍部垂直于衬底表面方向的不同位置处进行离子注入。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：在提供衬底之后，形成伪栅结构之前，在所述鳍部之间的衬底上形成隔离层，其中，高于隔离层顶部表面的鳍部为第一部分鳍部；所述对鳍部进行离子注入的步骤包括：对第一部分鳍部的顶部进行第一离子注入，对第一部分鳍部的底部进行第二离子注入。

7.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述进行第一离子注入的步骤包括：对低于所述第一部分鳍部顶部表面100-300埃处进行第一离子注入；

所述进行第二离子注入的步骤包括：对高于所述隔离层顶部表面100-300埃处的第一部分鳍部进行第二离子注入。

8.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管为N型晶体管，所述第一离子注入的离子源为BF2，能量范围为2-35keV，剂量范围为1.0E13-5.0E14atm/cm2；

所述第二离子注入的离子源为B，能量范围为1-15keV，剂量范围为1.0E13-5.0E14atm/cm2。

9.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管为P型晶体管，所述第一离子注入的离子源为P，能量范围为2-25keV，剂量范围为1.0E13-5.0E14atm/cm2；

所述第二离子注入的离子源为As，能量范围为5-40keV，剂量范围为1.0E13-5.0E14atm/cm2。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：在形成所述伪栅结构之后，进行离子注入之前，在所述伪栅结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂区。

11.如权利要求10所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：在形成所述伪栅结构之后，形成所述源漏掺杂区之前，对所述伪栅结构两侧的鳍部进行轻掺杂离子注入以形成轻掺杂区；

对所述轻掺杂区进行第一退火工艺处理。

12.如权利要求11所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一退火工艺为氮气退火、尖峰退火或激光退火。