[发明专利]一种热处理过程中调控半导体薄膜中元素吸附或逃逸的方法在审
| 申请号： | 201610988921.2 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN108022839A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘卫卫 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 22405*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 过程 调控 半导体 薄膜 元素 吸附 逃逸 方法 | ||
本发明涉及一种方法，特别涉及一种热处理过程中调控半导体薄膜中元素吸附或逃逸的方法。本发明的方法为：将热处理过程中的升温速率控制在5‑8℃/min，将热处理过程中的降温速率控制在8‑10℃/min。由于采用上述技术方案，本发明所具有的优点和积极效果是：可以在激活掺杂原子的同时防止掺杂原子的逃逸，提高有效的掺杂效率；更换热处理环境方便，操作简单；只要合理的改变热处理环境压强即可实现对薄膜中元素的吸附或逃逸的控制。
技术领域
本发明涉及一种方法，特别涉及一种热处理过程中调控半导体薄膜中元素吸附或逃逸的方法。
背景技术
目前，随着半导体工业的发展，半导体掺杂是改变半导体材料特性的有效方法。但是，要有效的发挥掺杂作用，必须激活掺杂原子。激活就需要采用热处理工艺。在热处理过程中如何在有效的激活掺杂原子的同时防止掺杂元素吸附或逃逸，如何调控热处理过程中薄膜中元素含量是一个非常重要的课题。现有技术在热处理过程中往往在激活掺杂原子的同时掺杂原子(特别是非金属掺杂元素)还将吸附或逃逸薄膜材料，这样将大大降低掺杂效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种热处理过程中调控半导体薄膜中元素吸附或逃逸的方法，能在热处理过程中通过改变半导体薄膜所处环境的压强来调控薄膜中元素的吸附或逃逸，实现对半导体薄膜中元素含量的调控，从而进一步调控半导体薄膜的光电特性。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明的工作原理为：元素蒸汽压随着所处压强的改变而发生变化。通过控制半导体薄膜所处环境压强，实现对薄膜中元素蒸汽压的控制，进一步控制半导体薄膜中元素吸附或逃逸，从而达到改变半导体薄膜中元素含量的目的，最终调节半导体薄膜的光电特性。本发明的方法为：将热处理过程中的升温速率控制在5-8℃/min，将热处理过程中的降温速率控制在8-10℃/min。
由于采用上述技术方案，本发明所具有的优点和积极效果是：可以在激活掺杂原子的同时防止掺杂原子的逃逸，提高有效的掺杂效率；更换热处理环境方便，操作简单；只要合理的改变热处理环境压强即可实现对薄膜中元素的吸附或逃逸的控制。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
