[发明专利]一种基于SiO2神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于SiO₂神经仿生层的神经仿生器件，其特征在于，包括Ag衬底、在所述Ag衬底上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一SiO₂膜层、Ag膜中间层、第二SiO₂膜层；

其制备方法包括以下步骤：

（a）将Ag衬底依次在去离子水、丙酮和酒精中分别用超声波清洗，然后取出用 N₂吹干；

（b）将清洗好的Ag衬底固定到磁控溅射设备腔体的衬底台上，并将腔体抽真空至1×10^-4-4×10^-4Pa；

（c）在腔体内的射频靶台上放置SiO₂靶材，直流靶台上放置Ag靶材，向腔体内通入Ar和O₂，调整接口阀使腔体内的压强维持在1-6Pa，打开控制SiO₂靶材起辉的射频源，调整射频源功率为100-200W，使SiO₂靶材起辉，预溅射8-15min；

（d）预溅射完毕后，开始正式溅射，在Ag衬底上生长SiO₂膜层，正式溅射时间为25-30min，得第一SiO₂膜层；

（e）将SiO₂靶材的射频源关掉，并将腔体抽真空至1×10^-4-4×10^-4Pa，衬底加热至400℃，打开控制Ag靶材的直流电源，调整射频源功率为8-11W，使Ag靶材起辉，预溅射8-15min，开始正式溅射，在第一SiO₂膜层上生长Ag膜层，正式溅射时间为4-8s，得Ag膜中间层；

（f）将Ag靶材的直流电源关掉，保持衬底温度为400℃，打开控制SiO₂靶材起辉的射频源，调整直流源功率为130-170W，使SiO₂靶材起辉，预溅射8-15min，开始正式溅射，在Ag膜中间层上生长SiO₂膜层，正式溅射时间为25-35min，得第二SiO₂膜层；

（g）在形成第二SiO₂膜层后的Ag衬底上放置掩膜版，将磁控溅射设备腔体抽真空至1×10^-4-4×10^-4Pa；向腔体内通入流量为20-30sccm的Ar，调整接口阀使腔体内的压强维持在1-6Pa，打开控制Ag靶材起辉的直流源，调整直流源功率为8-11W，使Ag靶材起辉，预溅射4-6min；开始正式溅射6-10min，在第二SiO₂膜层上形成Ag电极层。

2.根据权利要求1所述的基于SiO₂神经仿生层的神经仿生器件，其特征在于，所述神经仿生层的厚度为20-25nm，所述第一SiO₂膜层、Ag膜中间层、第二SiO₂膜层的厚度比为5:1:5。

3.根据权利要求1所述的基于SiO₂神经仿生层的神经仿生器件，其特征在于，所述第一SiO₂膜层、Ag膜中间层、第二SiO₂膜层的厚度比为5:1:5；所述Ag膜中间层的厚度2-6nm。