[发明专利]一种钼酸镁/石墨烯纳米片阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201610986194.6 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106564950B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张利锋;贺文杰;刘毅;郑鹏;原晓艳;郭守武 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01G39/00 | 分类号： | C01G39/00;C01B32/184 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钼酸 石墨 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钼酸镁/石墨烯纳米片阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将二水钼酸钠与六水氯化镁按照1:(1～3)的摩尔比溶于去离子水中，并在170～190℃下水热反应3～7h，产物离心、洗涤、干燥，得到混合物A；
2)按照1:(0.5～1)的质量比，将混合物A与浓度为0.1～0.5mol/L的氧化石墨烯水溶液均匀混合，搅拌、超声0.5-1h，再将混合均匀的产物离心、洗涤、干燥，得到混合物B；
3)将混合物B在氩气气氛下煅烧，得到黑色钼酸镁/石墨烯复合材料。
2.根据权利要求1所述的钼酸镁/石墨烯纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，煅烧温度为400℃～600℃，煅烧时间为1h～3h。
3.一种采用权利要求1或2所述方法制备的钼酸镁/石墨烯纳米片阵列，其特征在于，所述钼酸镁/石墨烯纳米片阵列是由垂直交叉的钼酸镁/石墨烯纳米片组成，横截面直径为100±30nm，厚度为20nm。
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