[发明专利]用于显示设备的薄膜晶体管在审
申请号: | 201610985215.2 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN106935654A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 赵成民;具奭勋 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/16 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 显示 设备 薄膜晶体管 | ||
1.一种用于显示设备的薄膜晶体管,包括:
基板;
半导体,被布置在所述基板上,并且包括沟道以及布置在所述沟道的相对侧的源区和漏区;
栅绝缘层,包括布置在所述基板和所述半导体上的第一栅绝缘层以及布置在所述第一栅绝缘层上并与所述沟道重叠的第二栅绝缘层;
布置在所述第二栅绝缘层上的栅电极;
直接布置在所述第一栅绝缘层和所述栅电极上的层间绝缘层;以及
布置在所述层间绝缘层上并连接到所述半导体的源电极和漏电极,
其中,所述栅绝缘层的与所述栅电极重叠的部分的厚度大于所述栅绝缘层的与所述源区重叠的部分的厚度以及所述栅绝缘层的与所述漏区重叠的部分的厚度。
2.根据权利要求1所述的用于显示设备的薄膜晶体管,其中:
所述第二栅绝缘层的厚度大于所述第一栅绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的用于显示设备的薄膜晶体管,其中:
所述栅绝缘层的与所述栅电极重叠的部分包括所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层,并且
所述栅绝缘层的与所述源区重叠的部分以及所述栅绝缘层的与所述漏区重叠的部分包括所述第一栅绝缘层,并且不包括所述第二栅绝缘层。
4.根据权利要求1所述的用于显示设备的薄膜晶体管,其中:
所述第二栅绝缘层和所述栅电极具有相同的平面形状。
5.根据权利要求1所述的用于显示设备的薄膜晶体管,其中:
所述第二栅绝缘层的两个相对侧边缘中的每个边缘分别与所述沟道和所述源区之间的边界以及所述沟道和所述漏区之间的边界重叠。
6.根据权利要求1所述的用于显示设备的薄膜晶体管,进一步包括:
第一接触孔和第二接触孔,都被形成在所述第一栅绝缘层和所述层间绝缘层中以分别暴露所述源区的至少一些和所述漏区的至少一些,
其中,所述源电极通过所述第一接触孔被连接到所述源区,并且所述漏电极通过所述第二接触孔被连接到所述漏区。
7.根据权利要求1所述的用于显示设备的薄膜晶体管,其中:
所述半导体包括:
布置在所述沟道和所述源区之间的第一掺杂区;以及
布置在所述沟道和所述漏区之间的第二掺杂区,并且
其中,包括在所述源区和所述漏区中的杂质不同于包括在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中的杂质。
8.根据权利要求7所述的用于显示设备的薄膜晶体管,其中:
所述第一掺杂区和所述第二掺杂区与所述栅电极和所述第二栅绝缘层重叠。
9.根据权利要求1所述的用于显示设备的薄膜晶体管,其中:
所述第一栅绝缘层的蚀刻率不同于所述第二栅绝缘层的蚀刻率。
10.根据权利要求9所述的用于显示设备的薄膜晶体管,其中:
所述第一栅绝缘层由氧化铪制成,并且所述第二栅绝缘层由氧化硅制成。
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