[发明专利]一种半导体存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括自下而上依次堆叠的至少两个存储芯片组，上下相邻的两个所述存储芯片组的重布线层通过层间导电柱电连接，且位于最下方的存储芯片组的重布线层与对外连接凸块电连接；

所述存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片，以及位于所述至少两个存储芯片下方的复合绝缘层，所述至少两个存储芯片包封为一体结构，所述重布线层设置在所述复合绝缘层中，所述至少两个存储芯片的层内导电柱错开预设角度，以分别与所述重布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述至少两个存储芯片的主动面的朝向相同，且所述主动面上设置有焊盘，所述焊盘与所述层内导电柱电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，每个所述存储芯片组包括二个、三个或四个存储芯片。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，所述存储芯片组内的至少两个存储芯片的层内导电柱错开90°或180°。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述复合绝缘层包括上部绝缘层和下部绝缘层，以及位于所述上部绝缘层和下部绝缘层之间的重布线层，所述层内导电柱通过下部绝缘层中的第一通孔与所述重布线层电连接，所述重布线层通过上部绝缘层中的第二通孔与所述层间导电柱电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器，其特征在于，所述上部绝缘层和所述下部绝缘层为有机光敏材料制成。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述存储芯片组内的至少两个存储芯片由热固材料包封。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述最下方的存储芯片组的底部设置有保护层。

9.一种半导体存储器的制作方法，其特征在于，包括在载板自下而上依次制作至少两个存储芯片组，以及制作层间导电柱，所述层间导电柱分别与上下相邻的两个所述存储芯片组的重布线层电连接，且位于最上方的存储芯片组的重布线层与对外连接凸块电连接；

其中在制作任一存储芯片组时，包括如下步骤：

将所述至少两个存储芯片依次堆叠，所述至少两个存储芯片的层内导电柱错开预设角度；

将所述至少两个存储芯片包封为一体结构，且将所述层内导电柱露出；

在所述一体结构上方形成复合绝缘层，所述复合绝缘层中形成有重布线层，所述重布线层与所述层内导电柱电连接。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述一体结构上方形成复合绝缘层包括：

在所述一体结构上方形成下部绝缘层，以及在所述下部绝缘层上形成第一通孔；

在所述下部绝缘层上方形成重布线层，所述重布线层通过第一通孔与所述层内导电柱电连接；

在所述重布线层上方形成上部绝缘层。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作层间导电柱，包括：

形成上部绝缘层之后，在所述上部绝缘层上形成层间导电柱，所述层间导电柱用于连接相邻的两个存储芯片组。