[发明专利]一种应力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种应力传感器，其特征在于，包括引线组件（7）和沉积于被测结构件（1）上的过渡层（2），所述过渡层（2）上依次沉积有绝缘层（3）、应变薄膜层（4）、焊盘（5）和保护层（6），所述焊盘（5）与所述引线组件（7）相连。

2.根据权利要求1所述的应力传感器，其特征在于，所述引线组件（7）包括引线支架（71），所述引线支架（71）上设置与焊盘（5）对应的引线（72），所述引线（72）与所述焊盘（5）之间通过导电浆料（74）固化，所述引线支架（71）与所述被测结构件（1）之间紧固连接。

3.根据权利要求2所述的应力传感器，其特征在于，所述引线支架（71）与所述被测结构件（1）之间通过螺钉（73）紧固连接。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的应力传感器，其特征在于，所述过渡层（2）为Ta₂O₅层。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的应力传感器，其特征在于，所述绝缘层（3）和保护层（6）均为SiO₂层。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的应力传感器，其特征在于，所述应变薄膜层（4）为NiCr层。

7.一种基于权利要求1至6中任意一项所述的应力传感器的制备方法，其特征在于，步骤为：

S01、开始，在置于真空镀膜腔体中且清洗干净的被测结构件（1）上安装掩膜，并依次沉积过渡层（2）和绝缘层（3）；

S02、更换掩膜，在所述绝缘层（3）上沉积应变薄膜层（4）；

S03、更换掩膜，在所述应变薄膜层（4）上制备焊盘（5）；

S04、更换掩膜，在所述应变薄膜层（4）上沉积保护层（6）；

S05、整体热处理；

S06、将焊盘（5）与引线组件（7）相连，制备完成。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤S06的具体过程为：将引线组件（7）上引线（72）与焊盘（5）接触并通过导电浆料（74）固化，同时将引线组件（7）上的引线支架（71）与被测结构件（1）紧固相连。

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，步骤S05的具体过程为：将被测结构件（1）与应力传感器整体放置于热真空箱内进行热处理，温度范围为100℃～200℃。

10.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，在步骤S06后，进行标定测试，得到应力与传感信号之间的特征曲线。