[发明专利]一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球及制备和应用有效

专利信息
申请号: 201610975187.6 申请日: 2016-11-07
公开(公告)号: CN106517349B 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 何丹农;吴晓燕;张春明;段磊;王严;魏国栋;金彩虹 申请(专利权)人: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
主分类号: C01G45/12 分类号: C01G45/12;H01M4/48;H01M4/50;B82Y30/00;H01M10/0525
代理公司: 上海东方易知识产权事务所31121 代理人: 唐莉莎
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 三维 缺陷 铜锰氧 纳米 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球的制备方法,其特征在于,所述三维氧缺陷铜锰氧分子式为CuMn2O4-x,0<x≤2,该方法的具体步骤为:

(1)将铜箔置于20 mL浓度为1~2 mol/L的碱溶液中,静止0.5~1 h,然后转入反应釜160~180℃反应6~8h,将产物用乙醇和去离子水洗涤数次,80~100℃烘箱烘干,得A;

(2)将上述A浸渍于浓度为1~2 mol/L的酸溶液中,静止10~30 min,将铜箔从酸溶液中取出,乙醇和去离子水洗涤数次,80~100℃烘箱烘干,得B;

(3)将B在马弗炉中以2~5℃/min的升温速率500~600℃煅烧3~5 h,得到掺杂Cu+的CuO;

(4)将掺杂Cu+的CuO浸渍在1-2 mol/L的锰盐溶液中,转入反应釜,80-100℃反应6~8 h,得C;

(5)将C用乙醇和去离子水洗涤烘干后,置于马弗炉中,500~600℃煅烧2-5 h,得纯CuMn2O4

(6)将纯CuMn2O4置于氢气气氛中,以1~2℃/min的升温和降温速率在350~450℃煅烧1~2 h,得CuMn2O4-x,0<x≤2。

2.根据权利要求1所述一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球的制备方法,其特征在于所述的碱溶液为氢氧化钠溶液或是氢氧化钾溶液中的一种或其组合。

3.根据权利要求1所述一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球的制备方法,其特征在于所述的酸溶液为盐酸、硝酸、硫酸中的一种或其组合。

4.根据权利要求1所述一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球的制备方法,其特征在于所述的锰盐为硝酸锰、醋酸锰或草酸锰中的一种或其组合。

5.一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球,其特征在于,根据权利要求1-4任一所述方法制备得到。

6.根据权利要求5所述三维氧缺陷铜锰氧纳米微球作为锂电负极材料的应用。

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