[发明专利]一种光电检测器件、光电检测装置

说明书

技术领域

本发明属于光电检测技术领域，具体涉及一种光电检测器件、光电检测装置。

背景技术

如图1所示，现有的光电检测器件包括：衬底110、电极112、绝缘层114、感光层116、级联载体层118和电源120，电极112位于衬底110上，可采用间隔设置或连续设置，绝缘层114与电极112和感光层116连接，感光层116采用非晶硒制成，级联载体层118位于感光层116上方，电源120与级联载体层118连接，电源120向级联载体层118施加电压以提高载流子的分离。

如图1所示的光电检测器件，相邻的像素单元共用一个电极112，光线会照射在位于相邻像素单元共用的电极112上面的感光层116上，使该位置处的感光层116产生光生电子，如果相邻像素单元中的光照信号不一样，这样就会在相邻像素单元的水平方向产生电场，该电场会使位于电极112上的光生电子发生移动，从而产生电流，并在相邻的像素单元中的水平电场的作用下，将该电流输入到低电场的像素单元中，从而使像素单元相互干扰，即发生串扰。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够减少光生电子在公共电极与像素电极形成的电场的作用下在相邻像素单元中发生串扰的光电检测器件、光电检测装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种光电检测器件，包括：第一公共电极、第一像素电极、第二像素电极、第二公共电极和光电半导体层，所述第一公共电极、所述第一像素电极和所述第二像素电极位于所述光电半导体层的第一侧，所述第二公共电极位于所述光电半导体层的与所述第一侧相对的第二侧；

所述第二公共电极与位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的所述第一公共电极对应设置。

其中，所述第一像素电极位于第一像素单元中，所述第二像素电极位于第二像素单元中，所述第一像素单元和所述第二像素单元相邻设置，所述第一公共电极位于所述第一像素单元和所述第二像素单元之间。

其中，所述第二公共电极与该第二公共电极对应设置的所述第一公共电极之间的电场大于所述第一公共电极与相邻的所述第一像素电极之间的电场；所述第二公共电极与该第二公共电极对应设置的所述第一公共电极之间的电场大于所述第一公共电极与相邻的所述第二像素电极之间的电场。

其中，所述第二公共电极在其所在平面的正投影覆盖与该第二公共电极对应设置的所述第一公共电极在第二公共电极所在平面的正投影。

其中，所述光电检测器件还包括第一连接电极，所述第一连接电极位于所述光电半导体层的第一侧，所述第一连接电极用于连接多个所述第一公共电极。

其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极均包括像素连接部和两个子像素电极，两个所述子像素电极通过所述像素连接部连接。

其中，每个所述像素电极的两个像素子电极之间设置有所述第一公共电极。

其中，所述第二公共电极采用不透明的金属材料制成。

其中，所述光电检测器件还包括第二连接电极，所述第二连接电极位于所述光电半导体层的第二侧，所述第二连接电极用于连接多个所述第二公共电极。

作为另一技术方案，本发明还提供一种光电检测装置，包括上述任意一项所述的光电检测器件。

本发明的光电检测器件、光电检测装置中，该光电检测器件包括：第一公共电极、第一像素电极、第二像素电极、第二公共电极和光电半导体层，第一公共电极、第一像素电极和第二像素电极位于光电半导体层的第一侧，第二公共电极位于光电半导体层的与第一侧相对的第二侧；第二公共电极与位于第一像素电极和第二像素电极之间的第一公共电极对应设置，通过在第二公共电极上加载电压，使其与第一公共电极形成的电压能够减小第一公共电极与第一像素电极形成的电压和第一公共电极与第二像素电极形成的电压在水平方向上的分量，从而避免因第一像素电极和第二像素电极的电压不同导致的电子在第一像素电极和第二像素电极中运动，阻止水平方向电流的流动，即避免发生电子串扰。

附图说明

图1为现有的光电检测器件的结构示意图；

图2为本发明的实施例1的光电检测器件的俯视图；

图3为图2中沿AA线的截面图；

其中，附图标记为：110、衬底；112、电极；114、绝缘层；116、感光层；118、级联载体层；120、电源；1、第一公共电极；2、第一像素电极；3、第二像素电极；4、第二公共电极；5、光电半导体层；6、第一连接电极；7、像素连接部；8、子像素电极；9、第二连接电极。