[发明专利]层叠型半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

下部器件，包括下基板、在所述下基板上的下部互连结构、在所述下部互连结构上的下部焊垫、以及覆盖所述下部互连结构的侧表面和所述下部焊垫的侧表面的下部层间绝缘；和

上部器件，设置在所述下部器件上，并且包括上基板、在所述上基板下面的上部互连结构、在所述上部互连结构下面的上部焊垫、以及覆盖所述上部互连结构的侧表面和所述上部焊垫的侧表面的上部层间绝缘，和

其中所述下部焊垫具有第一部分和第二部分，所述下部焊垫的所述第一部分在垂直方向上比所述下部焊垫的所述第二部分厚，

所述上部焊垫具有第一部分和第二部分，所述上部焊垫的所述第一部分在所述垂直方向上比所述上部焊垫的所述第二部分厚，

所述下部焊垫的所述第二部分在所述上部焊垫的所述第二部分处接合到所述上部焊垫，所述下部焊垫的所述第一部分与所述上部层间绝缘的下表面接触，所述上部焊垫的所述第一部分与所述下部层间绝缘的上表面接触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述下部焊垫的所述第二部分具有垂直交叠所述上部焊垫的所述第二部分的第一侧和垂直交叠所述上部层间绝缘的第二侧；和

所述上部焊垫的所述第二部分包括垂直交叠所述下部焊垫的所述第二部分的第一侧和交叠所述下部层间绝缘的第二侧。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述下部焊垫的所述第一部分连接到所述下部焊垫的所述第二部分的所述第二侧；和

所述上部焊垫的所述第一部分连接到所述上部焊垫的所述第二部分的所述第二侧。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述下部焊垫的所述第一部分和所述上部焊垫的所述第一部分沿着对角线方向设置，所述对角线方向相对于所述垂直方向倾斜。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述下部层间绝缘包括覆盖所述下部互连结构的侧表面的第一下部层间绝缘层、和覆盖所述下部焊垫的侧表面的第二下部层间绝缘层；和

所述上部层间绝缘包括覆盖所述上部互连结构的侧表面的第一上部层间绝缘层、和覆盖所述上部焊垫的侧表面的第二上部层间绝缘层。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第二下部层间绝缘层跨越所述下部互连结构的上表面和所述下部焊垫的所述第二部分的下表面；和

所述第二上部层间绝缘层跨越所述上部互连结构的下表面和所述上部焊垫的所述第二部分的上表面。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上部焊垫在第一方向上从所述下部焊垫横向地偏移。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中当在平面图中看时，所述下部焊垫的所述第一部分和所述上部焊垫的所述第一部分具有在垂直于所述第一方向的第二方向上伸长的形状。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上部焊垫相对于所述下部焊垫在第一方向和第二方向上横向地偏移，所述第二方向垂直于所述第一方向。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述下部焊垫的所述第一部分和所述上部焊垫的所述第一部分的每个具有以直角相交并且分别在第一方向和第二方向上伸长的截面。

11.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

光电二极管，在所述上基板内侧；

钝化层，设置在所述上基板上；

滤色器，设置在所述钝化层上并且与所述光电二极管垂直地对准；以及

微透镜，设置在所述滤色器上。

12.如权利要求11所述的半导体器件，还包括：

传输栅电极，邻近于在所述上基板上的所述光电二极管；以及

下部栅电极，设置在所述下基板上。