[发明专利]发光装置、光写入装置以及图像形成装置有效
申请号: | 201610969944.9 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN106875887B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 矢野壮;饭岛成幸;松尾隆宏;植村昂纪;谷山彰 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达株式会社 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;G09G3/3233;G03G15/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 胡金珑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 写入 以及 图像 形成 | ||
提供防止TFT的Vsdd‑Id特性和OLED的正向电压Vel的分散引起的光量分散的发光装置、光写入装置以及图像形成装置。在向在TFT的漏极端子上连接了OLED的串联电路施加规定电压而使其发光的装置中,在每次使OLED发光时,估计用于使其以设定光量发光的OLED的正向电压Vel及驱动电流量Id、以及TFT的源极‑漏极电压Vsd,根据TFT的Vsd‑Id特性,决定与驱动电流量Id和源极‑漏极电压Vsd对应的TFT的栅极‑源极电压Vgs。将这样决定的栅极‑源极电压Vgs施加给TFT,能够防止非饱和区域中的Vsd‑Id特性引起的OLED的光量的分散。
技术领域
本发明涉及发光装置、光写入装置以及图像形成装置,涉及以较高的精度来控制使用薄膜晶体管被电流驱动的发光元件的光量的技术。
背景技术
电子照相方式的图像形成装置为了在一致带电的感光体表面形成静电潜像而具备光写入装置。光写入装置响应于图像形成装置的小型化的需求,从以激光二极管为发光源的光扫描型,正在切换为将微小点(dot)的发光元件配置为线状的线光学型。进而,线光学型的光写入装置中,若使用半导体LED(发光二极管(Light Emitting Diode))作为发光元件,则LED阵列和用于控制各发光元件的驱动电路成为不同基板,所以现状下必须高成本。
另一方面,若采用有机LED(OLED:Organic LED)作为发光元件,则能够将LED阵列和驱动电路形成于同一基板,因此能够将光写入装置低成本化。
但这样的光写入装置(OLED-PH:OLED打印头(OLED Print Head))通过点亮在主扫描方向上多个(例如,15000个)排列的发光元件来进行光写入,所以若在发光元件间光量存在不均,则在静电潜像、进而调色剂像中产生主扫描方向上的浓度不均,不能达成优良的画质。
在使用了OLED的显示器装置中,光量分散被允许至30%,相对于此,在OLED-PH中,对于光量分散的要求精度高,即使小于1%的光量分散也必须进行校正。进而,在消除光量分散时,为了产生能够将光写入装置低成本化这样的OLED的优点,优选不使用光传感器。
在消除发光元件的光量不均的技术中,例如存在如下的现有技术。即,如图14所示,首先在写入期间中,将用于使发光元件1401以电流DAC(数字模拟转换器(Digital toAnalogue Converter))期望的光量发光的驱动电流Id强制性地流过对向发光元件1401供应的驱动电流量进行控制的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)1402,将在TFT1402的漏极端子和栅极端子之间产生的电位差Vdg存储至电容器1403。
在发光期间中,将在电容器1403中存储的电压Vdg施加在TFT1402的栅极端子和漏极端子之间,使发光元件1401以期望的光量发光(例如,参照专利文献1)。
在TFT1402的阈值电压Vth中存在初始分散,进而,TFT1402的漏极电流Id与阈值电压Vth处于大致成比例的关系。因此,即使施加与TFT1402相同的电压Vdg,被供应的驱动电流Id发生分散,发光元件1401的光量变得不一定。
相对于此,根据本现有技术,将用于供应用于使发光元件1401以期望的光量发光的驱动电流Id的电压Vdg存储至电容器1403,在发光期间将电压Vdg施加给TFT1402,因此能够抑制发光元件1401的光量的分散。
此外,在其他的现有技术中,预先使全部发光元件以同一条件发光而存储每个发光元件的光量,根据所存储的光量对每个发光元件校正驱动条件(参照专利文献2)。据此,即使在发光元件的发光效率α中存在分散,减少在同一条件下发光的情况下光量多的发光元件的驱动电流,关于光量少的发光元件,增多驱动电流等,对驱动条件进行校正,因此能够抑制光量分散。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:(日本)特开2010-200514号公报
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