[发明专利]半导体制造装置用部件、其制法以及附带有轴的加热器

说明书

本发明涉及一种半导体制造装置用部件、其制法以及附带有轴的加热器。本发明的半导体制造装置用部件是接合于氮化铝基部件的部件，作为材料，使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的复合材料。氮化铝假多晶型具有27R相及21R相中的至少一种周期结构，或者，氮化铝假多晶型的X射线衍射峰至少出现在2θ＝59.8～60.8°。复合材料在室温下的热传导率为50W/mK以下。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置用部件、其制法以及附带有轴的加热器。

背景技术

目前，已知一种包括具有电阻发热体的陶瓷制晶片保持部和支撑晶片保持部的支撑体的附带有轴的加热器。作为该附带有轴的加热器，提出了支撑体的热传导率比晶片保持部低的附带有轴的加热器(参见专利文献1)。具体而言，公开了将热传导率为80W/mK的AlN制支撑体或热传导率为4W/mK的多铝红柱石制支撑体玻璃粘接于热传导率为170W/mK的AlN制晶片保持部而得到的附带有轴的加热器。这些晶片保持部与支撑体的热膨胀系数差为0.1～0.5ppm/℃。关于该保持体，说明了：测定保持晶片的面整体的均热性，结果可以使其在±0.5％以内。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第4311910号公报

发明内容

但是，关于将热传导率为80W/mK的AlN制支撑体玻璃粘接于热传导率为170W/mK的AlN制晶片保持部而得到的附带有轴的加热器，很难说均热性足够高。另外，关于将热传导率为4W/mK的多铝红柱石制支撑体玻璃粘接于热传导率为170W/mK的AlN制晶片保持部而得到的附带有轴的加热器，虽然均热性优异，但多铝红柱石制支撑体的耐腐蚀性低构成问题。特别是多铝红柱石中所包含的硅成分对卤素气体的耐腐蚀性非常低，有可能在使用中发生蚀刻或者成为微粒的产生源。

本发明是用于解决以上课题的，其主要目的是提供一种在接合于氮化铝基部件时能够充分提高该氮化铝基部件的均热性且耐腐蚀性也优异的半导体制造装置用部件。

本发明的第一半导体制造装置用部件是接合于氮化铝基部件的半导体制造装置用部件，其中，

作为材料，使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的复合材料，

所述氮化铝假多晶型具有27R相及21R相中的至少一种周期结构，所述复合材料在室温下的热传导率为50W/mK以下。

该半导体制造装置用部件中所包含的氮化铝假多晶型为低热传导率的27R相和/或21R相，因此，在室温下的热传导率低至50W/mK以下。因此，能够抑制在将该半导体制造装置用部件接合于氮化铝基部件时氮化铝基部件的热逃逸至半导体制造装置用部件。因此，根据该半导体制造装置用部件，能够充分提高氮化铝基部件的均热性。或者，能够隔绝来自氮化铝基部件的热。进而，因为假多晶型的热膨胀系数接近于氮化铝基部件，所以复合材料的热膨胀系数也容易接近于氮化铝基部件。另外，该半导体制造装置用部件与多铝红柱石等含有大量硅成分的部件相比，耐腐蚀性优异。应予说明，所谓以氮化铝和氮化铝假多晶型为主要构成相，是指在自峰强度高的峰开始依次观察由XRD图谱所确认的构成相时，氮化铝及氮化铝假多晶型中的一者最高，另一者次之。另外，所谓周期结构，是指六方晶层状结构中的、包含Al的层或包含Al及Si的层、和、包含N的层或包含N及O的层以一定的顺序层叠。

本发明的第二半导体制造装置用部件是接合于氮化铝基部件的半导体制造装置用部件，其中，

作为材料，使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的复合材料，

所述氮化铝假多晶型的X射线衍射峰至少出现在2θ＝59.8～60.8°，所述复合材料的热传导率在室温下为50W/mK以下。