[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器结构的制造方法，包括：

提供基底，其中所述基底包括存储单元区与周边电路区；

于所述存储单元区中形成动态随机存取存储器，其中所述动态随机存取存储器包括耦接至电容结构的电容接触窗；以及

于所述周边电路区中形成具有金属栅极结构的晶体管结构，其中所述金属栅极结构是通过使用虚拟栅极的制程所形成，其中

所述电容接触窗与所述虚拟栅极是由同一层导体层所形成。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，还包括于所述基底中形成埋入式导线，且所述电容接触窗位于所述埋入式导线的一侧。

3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，还包括于所述基底上形成导线结构，其中所述导线结构位于所述埋入式导线的另一侧。

4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，其中所述电容接触窗与所述虚拟栅极的形成方法包括：

于所述基底上形成介电层结构；

移除部分所述介电层结构，而于所述存储单元区中的所述介电层结构中形成暴露出所述基底的第一开口，且于所述周边电路区中的所述介电层结构中形成第二开口；以及

分别于所述第一开口与所述第二开口中形成所述电容接触窗与所述虚拟栅极。

5.根据权利要求4所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，还包括：

移除部分所述介电层结构，而于所述存储单元区中的所述介电层结构中形成暴露出所述基底的第三开口，其中所述第三开口围绕所述存储单元区的边界；以及

于所述第三开口中形成护环结构，其中

所述电容接触窗与所述护环结构是由同一层导体层所形成。

6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，其中所述金属栅极结构的形成方法包括：

移除位于介电层中的所述虚拟栅极，而于所述介电层中形成第四开口；以及

于所述第四开口中形成所述金属栅极结构。

7.一种动态随机存取存储器结构，包括：

基底，包括存储单元区；

动态随机存取存储器，位于所述存储单元区中，其中所述动态随机存取存储器包括耦接至电容结构的电容接触窗；以及

护环结构，围绕所述存储单元区的边界，其中

所述电容接触窗与所述护环结构是源自于同一层导体层。

8.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器结构，还包括阻止层，其中所述阻止层设置于所述护环结构上且覆盖所述存储单元区。

9.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器结构，其中所述动态随机存取存储器包括：

埋入式导线，设置于所述基底中；

介电层结构，设置于所述基底上；

导线结构，设置于所述基底上，且位于所述介电层结构中；

所述电容接触窗，设置于所述介电层结构中，且连接至所述基底；以及

所述电容结构，设置于所述电容接触窗上。

10.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器结构，其中所述基底还包括周边电路区，且所述动态随机存取存储器结构还包括位于所述周边电路区中的晶体管结构，其中所述晶体管结构包括：

金属栅极结构，设置于所述基底上；以及

两个掺杂区，设置于所述金属栅极结构两侧的所述基底中。