[发明专利]抗闩锁晶体管

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在半导体本体中的第二掺杂类型的本体区中形成第一掺杂类型的源极区；以及

邻近本体区中的源极区形成第二掺杂类型的低阻区，

其中形成源极区包括使用注入掩膜经由半导体本体的第一表面将第一掺杂类型的掺杂剂粒子注入到本体区中，以及

其中注入第一掺杂类型的掺杂粒子包括倾斜注入。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成源极区还包括：

在注入第一掺杂类型的掺杂剂粒子之后以及在注入第二掺杂类型的掺杂剂粒子之前的第一退火过程。

3.根据权利要求2所述的方法，其中从在850℃和950℃之间的范围选择第一退火过程中的温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成低阻区还包括在注入第二掺杂类型的掺杂剂粒子之后的第二退火过程。

5.根据权利要求4所述的方法，其中从在850℃和950℃之间的范围选择第二退火过程中的温度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中倾斜注入包括相对于半导体本体的垂直方向的在10°和45°之间的倾斜角。

7.根据权利要求1所述的方法，其中该倾斜角在20°和40°之间。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中注入第一掺杂类型的掺杂粒子包括至少两个倾斜注入，

其中该至少两个倾斜注入中的每一个都包括具有横向分量的注入矢量，以及

其中与该至少两个倾斜注入的注入矢量相关联的横向分量彼此不同。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中注入第一掺杂类型的掺杂粒子包括两个倾斜注入。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中注入第一掺杂类型的掺杂粒子包括四个倾斜注入。

11.根据权利要求1所述的方法，其中形成低阻区包括使用注入掩膜来注入第二掺杂类型的掺杂剂粒子。

12.根据权利要求11所述的方法，其中注入第二掺杂类型的掺杂剂粒子包括在掺杂掩膜的至少一个侧壁上形成间隔部。

13.根据权利要求12所述的方法，其中从在100纳米和500纳米之间的范围选择间隔部的厚度。

14.根据权利要求12所述的方法，其中从在200纳米和400纳米之间的范围选择间隔部的厚度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中注入掩膜包括栅极电极以及布置在该栅极电极和半导体本体之间的栅极电介质。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括：

移除注入掩膜；以及

在本体区上形成栅极电介质以及在该栅极电介质上形成栅极电极。

17.根据权利要求1所述的方法，其中该半导体本体还包括：

第一掺杂的漂移区和漏极区，

其中该漂移区邻近本体区并且被布置在漏极区和本体区之间。

18.根据权利要求12所述的方法，其中该漏极区是第一掺杂类型和第二掺杂类型中的一个。

19.根据权利要求12所述的方法，其中该半导体本体还包括：

邻近本体区和漂移区的第二掺杂类型的补偿区。

20.一种包括至少一个晶体管单元的晶体管器件，其中该至少一个晶体管单元包括：

在半导体本体中，第二掺杂类型的本体区中的第一掺杂类型的源极区、漏极区、和邻近本体区且被布置在本体区和漏极区之间的第一掺杂类型的漂移区；

本体区中的且邻近源极区的第二掺杂类型的低阻区；以及

通过栅极电介质与源极区和本体区介质绝缘且被布置在半导体本体的第一表面上的栅极电极，

其中源极区和栅极电极之间的重叠长度大于70纳米，并且

其中低阻区沿着垂直于第一表面且通过栅极电极边缘的线的掺杂轮廓包括高于1E19cm^-3的最大值。

21.根据权利要求20所述的晶体管器件，其中该掺杂轮廓包括高于3E19cm^-3的最大值。

22.根据权利要求20所述的晶体管器件，包括多个晶体管单元。

23.根据权利要求20所述的晶体管器件，其中该源极区和漏极区在半导体本体的垂直方向上间隔开。