[发明专利]陶瓷基质复合物构件和制造陶瓷基质复合物构件的工艺

权利要求书

1.一种制造陶瓷基质复合物构件的工艺，所述工艺包括：

将多个陶瓷基质复合物板层定位成一个在另一个顶部上且在其中形成腔体，所述腔体包括渐缩横截面几何结构；以及

使所述多个陶瓷基质复合物板层密实化，以形成密实化本体，所述密实化导致所述腔体的设置在所述渐缩横截面几何结构的渐缩端部处的末端部分被填充浸渗的密实化材料，并且所述腔体的内部中空部分足够开放，以容许流体沿着所述腔体流动；

其中所述腔体存在于所述密实化本体中；

其中，所述末端部分具有小于0.08英寸的直径，以允许所述密实化材料的浸渗。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述腔体完全封闭在所述密实化本体内。

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述渐缩横截面几何结构在所述多个陶瓷基质复合物板层的至少一部分之间包括空隙几何结构差异。

4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述陶瓷基质复合物板层为预浸渍陶瓷基质复合物板层。

5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述腔体的形成通过选自下者的方法进行：激光钻孔、放电机加工、切割和机加工。

6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，将所述多个陶瓷基质复合物板层定位成一个在另一个顶部上且在其中形成所述腔体包括在所述多个陶瓷基质复合物板层中的各个中形成空隙且对齐相应的陶瓷基质复合物板层中的空隙，以至少部分地在所述构件中限定所述腔体，所述对齐包括对齐所述多个陶瓷基质复合物板层。

7.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述密实化包括熔体浸渗或化学气相淀积。

8.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述多个陶瓷基质复合物板层包括在所述腔体的端部处的多个纤维，所述多个纤维与所述腔体的中心轴线形成大于10度角度。

9.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述密实化材料为硅。

10.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述末端部分的直径小于通过毛细力吸入硅的直径。

11.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述陶瓷基质复合物构件为热气路径涡轮构件，其选自：衬套、叶片、护罩、喷嘴、燃烧器、喷嘴端壁和叶片平台。

12.一种陶瓷基质复合物构件，包括：

多个陶瓷基质复合物板层，其形成密实化本体，所述多个陶瓷基质板层在所述密实化本体内形成腔体；

其中

所述腔体包括渐缩横截面几何结构；

所述腔体的设置在所述渐缩横截面几何结构的渐缩端部处的末端部分被填充浸渗的密实化材料；并且

所述腔体的内部中空部分足够开放，以容许流体沿着所述腔体流动；

其中，所述末端部分具有小于0.08英寸的直径，以允许所述密实化材料的浸渗。

13.根据权利要求12所述的陶瓷基质复合物构件，其特征在于，所述腔体完全封闭在所述密实化本体内。

14.根据权利要求12所述的陶瓷基质复合物构件，其特征在于，所述渐缩横截面几何结构在所述多个陶瓷基质复合物板层的至少一部分之间包括空隙几何结构差异。

15.根据权利要求12所述的陶瓷基质复合物构件，其特征在于，所述陶瓷基质复合物构件为热气路径涡轮构件，其选自：衬套、叶片、护罩、喷嘴、燃烧器、喷嘴端壁和叶片平台。

16.根据权利要求12所述的陶瓷基质复合物构件，其特征在于，所述多个陶瓷基质复合物板层包括在所述腔体的端部处的多个纤维，所述多个纤维与所述腔体的中心轴线形成大于10度角度。

17.根据权利要求12所述的陶瓷基质复合物构件，其特征在于，所述末端部分的直径小于通过毛细力吸入硅的直径。