[发明专利]半导体装置封装

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包括：

衬底；

至少一个组件，其位于所述衬底的表面上；

封装本体，其包封所述至少一个组件；及

电磁干扰EMI屏蔽，其适形地形成在所述封装本体上，所述EMI屏蔽具有界定第一开口的第一侧部，其中所述第一开口具有由0.026λ≦L₁≦0.155λ决定的第一长度L₁，且λ为与所述半导体装置封装的操作频率相关的波长，且所述操作频率在从5.180GHz到5.825GHz的范围中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一开口具有高度，其中所述第一长度大于所述高度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一长度进一步由0.029λ≦L₁≦0.139λ决定。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述EMI屏蔽在所述第一侧部上进一步界定第二开口，其中所述第二开口具有第二长度L₂，所述第一长度L₁及所述第二长度L₂的和L_s是由0.026λ<L_s≦0.155λ决定。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述EMI屏蔽在所述第一侧部上进一步界定多个第二开口，其中所述多个第二开口中的每一者具有第二长度L₂，所述第一长度L₁及所述第二长度L₂的和L_s是由0.026λ<L_s≦0.155λ决定。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述EMI屏蔽进一步包括连接到所述第一侧部的第二侧部，且所述EMI屏蔽在所述第二侧部上进一步界定第二开口。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述EMI屏蔽进一步包括与所述第一侧部相对的第二侧部，且所述EMI屏蔽在所述第二侧部上进一步界定第二开口。

8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述EMI屏蔽进一步包括连接到所述第一侧部的第二侧部，且所述EMI屏蔽在所述第二侧部上进一步界定第二开口，其中所述第一开口及所述第二开口经形成邻近于由所述第一侧部及所述第二侧部结合的拐角。

9.一种半导体装置封装，其包括：

衬底，其包含顶部表面及正交于所述顶部表面的侧向表面；

电路，其位于所述衬底的顶部表面上，所述电路经配置以用于在第一频率下操作；

封装本体，其包封所述电路且包含侧向表面；及

适形屏蔽，其位于所述封装本体上且覆盖所述封装本体的所述侧向表面，所述适形屏蔽界定第一开口，其中所述适形屏蔽界定所述第一开口经配置以使对应于所述电路经配置以操作的所述第一频率的共振频率移位；

其中由所述适形屏蔽覆盖的所述封装本体的所述侧向表面与所述衬底的所述侧向表面实质上共面(coplanar)；及

其中所述第一开口具有由0.026λ≦L₁≦0.155λ决定的第一长度L₁，且λ为与所述半导体装置封装的操作频率相关的波长，且所述操作频率在从5.180GHz到5.825GHz的范围中。

10.根据权利要求9所述的半导体装置封装，所述适形屏蔽包括界定所述第一开口的第一侧部。

11.根据权利要求10所述的半导体装置封装，所述适形屏蔽包括界定第二开口的第二侧。

12.根据权利要求9所述的半导体装置封装，其中所述第一开口的位置经配置以减少所述半导体装置封装中的电场强度。