[发明专利]半导体设备及制造半导体封装的方法

说明书

技术领域

本发明有关于半导体设备及制造半导体封装的方法。

背景技术

现有用于形成半导体封装的半导体封装及方法是不足的，其例如是导致过多的成本、降低的可靠度、或是过大的封装尺寸。习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，通过此种方式与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本揭露内容的比较将会变成是明显的。

发明内容

此揭露内容的各种特点是提供一种用于制造一半导体装置的方法以及一种藉此所产生的半导体装置。例如且非限制性的，此揭露内容的各种特点是提供一种用于制造一半导体装置的方法、以及一种藉此所产生的半导体装置，其包括一透明的、半透明的、非不透明的、或者是光透射的外表面。

一种制造一半导体封装的方法，所述方法包括：将包括光学组件的半导体晶粒附接至在光透射的载体结构上的第一重分布结构，使得所述半导体晶粒的底表面是面对所述第一重分布结构；以及利用光透射的底胶填充材料来填充在所述半导体晶粒的所述底表面与所述第一重分布结构之间的区域。如所述方法，其进一步包括：在所述半导体晶粒的顶表面之上形成第二重分布结构；以及将导电的互连结构附接至所述第二重分布结构的导电层，以形成所述半导体封装的外部的连接器。如所述方法，其中所述光透射的载体是包括透镜，其被配置以导引光至所述光学组件、或是从所述光学组件导引光。如所述方法，其进一步包括将包括另一光学组件的另一半导体晶粒附接至所述第一重分布结构，使得所述另一半导体晶粒的底表面是面对所述第一重分布结构。如所述方法，其中所述填充是进一步包括利用所述光透射的底胶填充材料来填充在所述另一半导体晶粒的所述底表面与所述第一重分布结构之间的另一区域。如所述方法，其中所述附接是包括：形成复数个连接至所述第一重分布结构的导电层的垫；以及经由所述复数个垫来将所述半导体晶粒电耦接至所述第一重分布结构。如所述方法，其中形成所述复数个垫是包括在和所述半导体晶粒的所述光学组件相关的窗口之外形成所述复数个垫。

一种设备，其包括：光透射的载体结构；在所述光透射的载体结构上的第一重分布结构；以及包括光学组件的半导体晶粒，其是附接且电耦接至所述第一重分布结构，使得所述半导体晶粒的底表面是面对所述第一重分布结构以及所述光透射的载体结构。如所述设备，其进一步包括在所述半导体晶粒的所述底表面与所述第一重分布结构之间的光透射的底胶填充材料。如所述设备，其进一步包括：在所述半导体晶粒的顶表面之上的第二重分布结构；以及导电的互连结构，其是附接至所述第二重分布结构的导电层以形成所述半导体封装的外部的连接器。如所述设备，其进一步包括一或多个导电贯孔，其是将所述第二重分布结构电耦接至所述第一重分布结构。如所述设备，其进一步包括另一半导体晶粒，其是附接且电耦接至所述第一重分布结构，使得所述另一半导体晶粒的另一光学组件是面对所述第一重分布结构以及所述光透射的载体结构。如所述设备，其进一步包括在所述半导体晶粒的底表面与所述第一重分布结构之间的光透射的底胶填充材料。如所述设备，其中所述光透射的载体是包括透镜，其被配置以导引光至所述光学组件、或是从所述光学组件导引光。如所述设备，其中所述光透射的层是提供光抗反射的性质。如所述设备，其中所述光透射的层是提供滤光的性质。如所述设备，其中所述光透射的层是提供光极化的性质。

一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：将包括光学组件的半导体晶粒附接至在载体结构上的重分布结构，使得所述半导体晶粒的底表面是面对所述重分布结构；以及将光透射的层附接至所述半导体晶粒的顶表面以形成所述半导体封装的外表面，其允许光通过至所述半导体晶粒的所述光学组件。如所述方法，其进一步包括：移除所述载体结构的载体，以露出所述重分布结构的凸块下金属；以及将导电的互连结构附接至所述凸块下金属，以形成所述半导体封装的外部的连接器。如所述方法，其中所述光透射的层是包括透镜，其被配置以导引光至所述光学组件、或是从所述光学组件导引光。

附图说明

图1A至1J是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。

图2是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种半导体装置的横截面图。

图3A至3J是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。

图4A至4F是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。

图5是展示描绘根据本揭露内容的各种特点的一种半导体装置的横截面图。

具体实施方式