[发明专利]一种CZTS太阳能电池有效
申请号: | 201610963117.9 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN106653898B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 魏青竹;倪志春;胡党平;陆俊宇;连维飞 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/032;H01L31/0392 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;李萍 |
地址: | 215542 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 czts 太阳能电池 | ||
1.一种CZTS太阳能电池,包括层叠设置的基板、阻挡层、导电背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层、透明导电层,其特征在于:所述吸收层为CZTS可调带隙吸收层,所述CZTS可调带隙吸收层中Cu/(Zn+Sn)的原子百分比在0.8~0.95之间,Zn/Sn的原子百分比在1.0~1.5之间;该CZTS太阳能电池还包括层叠在所述导电背电极层上的钠掺杂层以及层叠在所述钠掺杂层上的钠保护层,所述吸收层层叠在所述钠保护层上,所述钠掺杂层中钠的质量百分比为0.01~0.15%;所述钠掺杂层由钠质量百分比为0.1~3%的钼钠靶材通过直流磁控溅射生成,所述钠保护层由钼层通过直流磁控溅射生成。
2.根据权利要求1所述的CZTS太阳能电池,其特征在于:该CZTS太阳能电池包括依次层叠的三层所述吸收层,第一层吸收层的厚度为100~200nm,层叠在第一层吸收层上的第二层吸收层的厚度为800~1500nm,层叠在第二层吸收层上的第三层吸收层的厚度为50~100nm,所述缓冲层层叠在第三层吸收层上。
3.根据权利要求1所述的CZTS太阳能电池,其特征在于:所述吸收层采用预先配置的圆柱靶在400~600℃通过交流磁控溅射生成。
4.根据权利要求1所述的CZTS太阳能电池,其特征在于:所述阻挡层由Ti/Zr靶材通过直流磁控溅射生成,所述导电背电极层采用钼层,直流磁控溅射生成。
5.根据权利要求1所述的CZTS太阳能电池,其特征在于:所述缓冲层由ZnS靶材通过直流磁控溅射生成。
6.根据权利要求1所述的CZTS太阳能电池,其特征在于:所述窗口层由ZnO靶材通过磁控溅射生成。
7.根据权利要求1所述的CZTS太阳能电池,其特征在于:所述透明导电层由掺杂质量百分比为1~3%铝的ZnO靶材通过磁控溅射生成。
8.权利要求1所述的CZTS太阳能电池,其特征在于:该CZTS太阳能电池由依次层叠的基板、阻挡层、导电背电极层、钠掺杂层、钠保护层、第一吸收层、第二吸收层、第三吸收层、缓冲层、窗口层以及透明导电层构成,其中,所述基板的厚度为30~80μm;所述阻挡层的厚度为500~1500nm;所述导电背电极层的厚度为20~100nm;所述钠掺杂层的厚度为20~100nm;所述钠保护层由钼层通过直流磁控溅射生成,所述钠保护层的厚度为20~100nm;所述第一吸收层的厚度为100~200nm;所述第二吸收层的厚度为800~1500nm;所述第三吸收层的厚度为50~100nm;所述缓冲层的厚度为20~100nm;所述窗口层的厚度为20~90nm;所述透明导电层的厚度为300~600nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的