[发明专利]一种含有复合多光子腔的多结太阳电池有效
申请号: | 201610962842.4 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN106449848B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 张玮;朱凯;李欣益;陆宏波;陈杰;张华辉;张梦炎;杨丞;张建琴;郑奕 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/0735 | 分类号: | H01L31/0735;H01L31/054 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 尹兵 |
地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含有 复合 光子 太阳电池 | ||
1.一种含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,该太阳电池包含从上至下依次设置的:
n个宽带隙垂直光子腔(10),其中n为自然数,且n≥1,
m个窄带隙垂直光子腔(20),其中m为自然数,且m≥1,以及
设置在相邻垂直光子腔之间的第p隧穿结(30),其中1≤p≤m+n-1;
所述的宽带隙垂直光子腔(10)包含从上至下依次设置的:第n前置反射镜(11),第n子电池(12),第n后置反射镜(13);
所述的窄带隙垂直光子腔(20)包含从上至下依次设置的:第m前置反射镜(21),第m子电池(22),第m后置反射镜(23);
所述的第n子电池(12)的光学折射率高于所述的第n前置反射镜(11)与第n后置反射镜(13)的光学折射率;
所述的第m子电池(22)的光学折射率高于所述的第m前置反射镜(21)与第m后置反射镜(23)的光学折射率。
2.根据权利要求1所述的含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,所述的太阳电池还包含:
设置在所述的太阳电池最顶层的减反射膜(40)。
3.根据权利要求1或2所述的含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,所述的第n前置反射镜(11)包含从上至下依次设置的:
低折射率氧化物层(111)和第n窗口层(112);
所述的第n窗口层(112)的光学折射率比低折射率氧化物层(111)的光学折射率低0.5~1.0。
4.根据权利要求3所述的含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,所述的低折射率氧化物层(111)的厚度为1~500nm。
5.根据权利要求1或2所述的含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,所述的第n后置反射镜(13)包含从上至下依次设置的:
第n背场层(131)和第n低折射率层(132);
所述的第n低折射率层(132)的光学折射率比第n背场层(131)的光学折射率低0~0.5,且所述的第n低折射率层(132)和第n背场层(131)的光学折射率不相等。
6.根据权利要求5所述的含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,所述的第n低折射率层(132)的厚度为10~30nm。
7.根据权利要求1或2所述的含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,所述的第m前置反射镜(21)包含从上至下依次设置的:
光学反射率调节层(211)和第m窗口层(212);
所述的光学反射率调节层(211)的光学折射率比第m窗口层(112)的光学折射率低0~0.5,且所述的光学反射率调节层(211)和第m窗口层(112)的光学折射率不相等。
8.根据权利要求7所述的含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,所述的光学反射率调节层(211)的厚度为10~30 nm。
9.根据权利要求1或2所述的含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,所述的第m后置反射镜(23)包含从上至下依次设置的:
第m背场层(231)和第m低折射率层(232);
所述的第m低折射率层(132)的光学折射率比第m背场层(131)的光学折射率低0~0.5,且第m低折射率层(132)和第m背场层(131)的光学折射率不相等。
10.根据权利要求1或2所述的含有复合多光子腔的多结太阳电池,其特征在于,所述的第m低折射率层(232)的厚度为10~30 nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海空间电源研究所,未经上海空间电源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610962842.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的