[发明专利]球焊用贵金属被覆铜线有效
| 申请号： | 201610961602.2 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN107039295B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 天野裕之;枪田聪明;崎田雄祐;安德优希;陈炜 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 球焊 贵金属 被覆 铜线 | ||
1.一种球焊用贵金属被覆铜线，其特征为：线径在10μm以上25μm以下；在以铜的纯度在98质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成有贵金属被覆层的线材之中，所述贵金属被覆层，是由“第13族-16族的元素或氧元素之中至少1种或2种以上的含有元素微分散于其中的钯壳化层”、以及“钯与铜的扩散层”所构成；
其中，所述含有元素为硫、磷、硒、碲、碳或氧元素之中的1种或2种以上所构成的含有元素
其中，钯与第13族-16族的表面活性元素或氧元素中的1种或2种以上的含有成分的元素，以结晶粒等级各自独立的状态存在。
2.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆铜线，其中，所述含有元素为硫。
3.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆铜线，其中，所述含有元素为碳。
4.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆铜线，其中，所述贵金属被覆层的理论膜厚为20纳米以上300纳米以下。
5.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆铜线，其中，所述贵金属被覆层的表面检测出氧元素。
6.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆铜线，其中，所述贵金属被覆层的表面检测出铜。
7.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆铜线，其中，所述芯材是含有磷0.003质量％以上0.2质量％以下的铜合金。
8.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆铜线，其中，所述芯材是含有铂、钯或镍之中的至少1种或2种以上共0.1质量％以上2质量％以下的铜合金。
9.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆铜线，其中，所述芯材是含有氢0.1质量ppm以上10质量ppm以下的铜合金。
10.如权利要求1所述的球焊用贵金属被覆铜线，其中，所述钯壳化层或所述钯壳层是经延伸的湿式镀敷层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
