[发明专利]非平坦晶体管以及其制造的方法

权利要求书

1.一种非平坦晶体管，包括：

至少一个非平坦晶体管鳍；

在所述至少一个非平坦晶体管鳍的至少一部分上面形成的至少一个非平坦晶体管栅极，其中所述至少一个非平坦晶体管栅极包括邻近其的间隔件；以及

邻近所述至少一个非平坦晶体管栅极的至少一个源/漏结构，其中所述至少一个源/漏结构缺少邻接的间隔件。

2.根据权利要求1所述的非平坦晶体管，其中间隔件包括介电材料。

3.根据权利要求2所述的非平坦晶体管，其中所述介电材料是从包括二氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的组中选择的。

4.根据权利要求1所述的非平坦晶体管，其中所述至少一个非平坦晶体管栅极包括邻接所述至少一个非平坦晶体管鳍的栅极介电层和邻接所述栅极介电层的栅极电极。

5.根据权利要求4所述的非平坦晶体管，其中所述间隔件邻接所述栅极介电层和所述栅极电极。

6.一种非平坦晶体管，包括：

至少一个非平坦晶体管鳍；

在所述至少一个非平坦晶体管鳍的上面形成的至少一个非平坦晶体管栅极，其中所述至少一个非平坦晶体管栅极包括邻近其的间隔件；以及

邻近所述至少一个非平坦晶体管栅极的至少一个源/漏结构，其中所述至少一个源/漏结构缺少邻接的间隔件，并且其中所述至少一个源/漏结构包括所述至少一个非平坦晶体管鳍的其中植入掺杂剂的部分。

7.根据权利要求6所述的非平坦晶体管，其中所述至少一个非平坦晶体管的其中植入掺杂剂的所述部分包括所述非平坦晶体管鳍的其中植入P型掺杂剂的部分。

8.根据权利要求6所述的非平坦晶体管，其中所述至少一个非平坦晶体管的其中植入掺杂剂的所述部分包括所述非平坦晶体管鳍的其中植入N型掺杂剂的部分。

9.根据权利要求6所述的非平坦晶体管，其中间隔件包括介电材料。

10.根据权利要求9所述的非平坦晶体管，其中所述介电材料是从包括二氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的组中选择的。

11.根据权利要求6所述的非平坦晶体管，其中所述至少一个非平坦晶体管栅极包括邻接所述至少一个非平坦晶体管鳍的栅极介电层和邻接所述栅极介电层的栅极电极。

12.根据权利要求11所述的非平坦晶体管，其中所述间隔件邻接所述栅极介电层和所述栅极电极。

13.一种非平坦晶体管，包括：

至少一个非平坦晶体管鳍，其在微电子基底的上面延伸；

在所述至少一个非平坦晶体管鳍的上面形成的至少一个非平坦晶体管栅极，其中所述至少一个非平坦晶体管栅极包括邻近其的间隔件；以及

形成在所述微电子基底上面的至少一个源/漏结构，其中所述至少一个源/漏结构邻近所述至少一个非平坦晶体管栅极，其中所述至少一个源/漏结构缺少邻接的间隔件，并且其中所述至少一个源/漏结构包括外延形成的含硅源/漏结构。

14.根据权利要求13所述的非平坦晶体管，其中所述至少一个外延形成的含硅源/漏结构是从包括硅、硅锗、硅/锗/锡、锗和碳化硅的组中选择的材料。

15.根据权利要求14所述的非平坦晶体管，其中所述材料还包括其中植入的P型掺杂剂。

16.根据权利要求14所述的非平坦晶体管，其中所述材料还包括其中植入的N型掺杂剂。

17.根据权利要求13所述的非平坦晶体管，其中间隔件包括介电材料。

18.根据权利要求17所述的非平坦晶体管，其中所述介电材料是从包括二氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的组中选择的。

19.根据权利要求13所述的非平坦晶体管，其中所述至少一个非平坦晶体管栅极包括邻接所述至少一个非平坦晶体管鳍的栅极介电层和邻接所述栅极介电层的栅极电极。

20.根据权利要求19所述的非平坦晶体管，其中所述间隔件邻接所述栅极介电层和所述栅极电极。