[发明专利]InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底上的低温GaN缓冲层；

在所述低温GaN缓冲层上的高温n型GaN层；

在所述高温n型GaN层上的n型AlGaN光限制层；

在所述n型AlGaN光限制层上的n型InGaN下波导层；

在所述n型InGaN下波导层上的InGaN/GaN量子阱有源区；

在所述InGaN/GaN量子阱有源区上的不掺杂的InGaN上波导层；

在所述不掺杂的InGaN上波导层上的p型AlGaN电子阻挡层；

在所述p型AlGaN电子阻挡层上的p型AlGaN/GaN光限制层；

在所述p型AlGaN/GaN光限制层上的p型GaN欧姆接触层；

所述InGaN/GaN量子阱有源区包括至少一个InGaN/GaN量子阱；当所述InGaN/GaN量子阱的数量为至少两个时，所述至少两个InGaN/GaN量子阱层叠在所述n型InGaN下波导层上；

所述InGaN/GaN量子阱包括依序层叠的不掺杂的InGaN量子阱层、不掺杂的InGaN插入盖层、不掺杂的GaN盖层以及不掺杂的GaN量子垒层；所述不掺杂的InGaN插入盖层中的In组分小于所述不掺杂的InGaN量子阱层中的In组分，所述不掺杂的InGaN插入盖层的厚度为0.3nm～1nm。

2.根据权利要求1所述的InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，所述不掺杂的InGaN插入盖层中的In组分均匀；或者所述不掺杂的InGaN插入盖层中的In组分随着所述不掺杂的InGaN插入盖层的厚度的增加而逐渐减小。

3.根据权利要求1或2所述的InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，所述n型AlGaN光限制层由n型AlGaN/GaN光限制层替代；

所述n型AlGaN/GaN光限制层包括层叠在所述高温n型GaN层上的多个n型AlGaN/GaN超晶格；每个n型AlGaN/GaN超晶格包括依序层叠的n型AlGaN层和n型GaN层。

4.根据权利要求1或2所述的InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，所述n型InGaN下波导层和所述不掺杂的InGaN上波导层分别由GaN层代替，和/或所述p型AlGaN/GaN光限制层由厚度为200nm～1000nm的p型AlGaN层代替，和/或所述p型GaN欧姆接触层由掺Mg浓度至少为1×10²⁰cm^-3的p型InGaN层替代。

5.根据权利要求3所述的InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，所述n型InGaN下波导层和所述不掺杂的InGaN上波导层分别由GaN层代替，和/或所述p型AlGaN/GaN光限制层由厚度为200nm～1000nm的p型AlGaN层代替，和/或所述p型GaN欧姆接触层由掺Mg浓度至少为1×10²⁰cm^-3的p型InGaN层替代。