[发明专利]具有限定的热、机械和电特性的热接合材料有效
申请号: | 201610945062.9 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN107039289B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | T·巴斯勒;F·布鲁基;E·菲尔古特;C·卡斯特兰;M·门格尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/373 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 限定 机械 特性 接合 材料 | ||
1.一种电子部件(100),所述电子部件(100)包括:
·导电载体(102);
·位于所述载体(102)上的电子芯片(104);
·包封所述载体(102)的和所述电子芯片(104)的一部分的包封剂(106);
·电绝缘且导热的接合结构(108),其覆盖所述载体(102)的暴露表面部分和所述包封剂(106)的连接表面部分;
·其中,所述接合结构(108)由具有填充了填料颗粒(304)的硅酮基质(302)的材料制成;以及
其中,所述接合结构(108)的材料与所述载体(102)的被覆盖的暴露表面部分的材料和所述包封剂(106)的连接表面部分的材料相混合,且在电子部件(100)的制造过程中,所述接合结构(108)的材料、所述载体(102)的被覆盖的暴露表面部分的材料和所述包封剂(106)的连接表面部分的材料在所述接合结构(108)、所述载体(102)的被覆盖的暴露表面部分与所述包封剂(106)的连接表面部分之间互相流动。
2.根据权利要求1所述的电子部件(100),其特征在于,所述填料颗粒(304)包括由金属氧化物、金属氮化物、氧化铝、二氧化硅、氮化硼、氧化锆、氮化硅、金刚石和氮化铝组成的组中的至少一种,且质量百分比的范围为75%-98%。
3.根据权利要求2所述的电子部件(100),其特征在于,所述质量百分比的范围为90%-95%。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的电子部件(100),其特征在于,所述接合结构(108)的每单位厚度击穿电压乘以热导率除以维氏硬度的平方的值大于1KV W mm3 m-1K-1N-2。
5.根据权利要求4所述的电子部件(100),其特征在于,所述值大于3KV W mm3 m-1K-1N-2。
6.根据权利要求4所述的电子部件(100),其特征在于,所述值大于10KV W mm3 m-1K-1N-2。
7.根据权利要求1-3、5-6中任一项所述的电子部件(100),其特征在于,所述接合结构(108)在1N的测量力下的维氏硬度的范围为0.50N/mm2-3 N/mm2。
8.根据权利要求1-3、5-6中任一项所述的电子部件(100),其特征在于,所述接合结构(108)在1N的测量力下的维氏硬度的范围为0.85N/mm2-1.50N/mm2。
9.根据权利要求1-3、5-6中任一项所述的电子部件(100),其特征在于,所述接合结构(108)的杨氏模量的范围为0.1GPa-2 GPa。
10.根据权利要求1-3、5-6中任一项所述的电子部件(100),其特征在于,所述接合结构(108)的杨氏模量的范围为0.3GPa-1.5GPa。
11.根据权利要求1-3、5-6中任一项所述的电子部件(100),其特征在于,所述电子部件(100)包括以下特征中的至少一个:
所述接合结构(108)在1N的测量力下显示出不影响至少5.6KV的击穿电压的刮擦阻抗;
所述接合结构(108)在1N的测量力下显示出不影响至少10KV/mm的每单位厚度击穿电压的刮擦阻抗。
12.根据权利要求1-3、5-6中任一项所述的电子部件(100),其特征在于,所述接合结构(108)的厚度的范围为50μm-600μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造