[发明专利]二硫化钼用于干细胞增殖和/或分化及干细胞增殖和/或分化用衬底及制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610944176.1 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107964533B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王舒;李琳琳;刘宏;牟晓宁;仇吉川;郭伟博;聂锦辉;张晓笛;刘志荣;王中林 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | C12N5/0797 | 分类号： | C12N5/0797;C12N5/0775;C23C18/16 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 乔雪微;严政 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 用于 干细胞 增殖 分化 化用 衬底 制备 方法 应用 | ||
1.二硫化钼在神经干细胞增殖和/或分化中的应用，且所述应用为非疾病诊断和治疗目的中的应用；
其中，所述二硫化钼以二硫化钼薄膜的形式存在；
其中，所述二硫化钼薄膜附着在基底上，所述基底为玻璃板或聚偏氟乙烯膜。
2.根据权利要求1所述的应用，其中，所述二硫化钼薄膜的厚度为200-800nm。
3.根据权利要求1或2所述的应用，其中，所述二硫化钼薄膜具有导电性，且具有层状和表面多孔的结构。
4.一种用于神经干细胞增殖和/或分化的衬底，其特征在于，所述衬底包括基底和附着在该基底上的二硫化钼薄膜；
其中，所述基底为聚偏氟乙烯膜。
5.根据权利要求4所述的衬底，其中，所述基底为聚偏氟乙烯膜，所述衬底在被所述神经干细胞附着后为管状结构。
6.根据权利要求5所述的衬底，其中，所述管状结构的直径为100μm-5mm。
7.根据权利要求5或6所述的衬底，其中，所述二硫化钼薄膜的厚度为200-800nm。
8.根据权利要求7所述的衬底，其中，所述二硫化钼薄膜具有导电性，且具有层状且表面多孔的结构。
9.一种用于神经干细胞增殖和/或分化的衬底的制备方法，其中，该方法包括：将聚偏氟乙烯膜与钼酸钠和硫脲的水溶液在180℃-250℃的条件下接触，以使所述聚偏氟乙烯膜上附着二硫化钼薄膜。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，该方法还包括：将接触后形成的附着有二硫化钼薄膜的基底进行超声处理。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，超声的条件包括：超声的频率为50-60Hz，超声的温度为20-30℃，超声的时间为5-15min。
12.权利要求4-8中任意一项所述的衬底在神经干细胞增殖和/或分化中的应用，且所述应用为非疾病诊断和治疗目的中的应用。
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