[发明专利]一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法

权利要求书

1.一种低通态压降IGBT，其特征在于，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；

所述栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；

所述集电极淀积在所述N型衬底的P+集电区上；

所述低通态压降IGBT的控制方法包括：依据所述低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式；

所述工作模式包括：

第一工作模式：同时启动和关断所述栅极和控制电极；

第二工作模式：顺次启动所述栅极和控制电极，并同时关断所述栅极和控制电极；

第三工作模式：同时启动所述栅极和控制电极，并顺次关断所述控制电极和栅极；

第四工作模式：顺次启动所述栅极和控制电极，并顺次关断所述控制电极和栅极。

2.如权利要求1所述的一种低通态压降IGBT，其特征在于，

所述发射极淀积在所述有源区的N+发射区上；

所述控制电极淀积在所述有源区的P型离子掺杂区上。

3.如权利要求1所述的一种低通态压降IGBT，其特征在于，

所述控制状态包括开通状态和关断状态；

所述开通状态包括快速开通和慢速开通，所述关断状态包括快速关断和慢速关断。

4.如权利要求3所述的一种低通态压降IGBT，其特征在于，

若所述控制状态为慢速开通和慢速关断，则按照所述第一工作模式控制所述低通态压降IGBT；

若所述控制状态为快速开通和慢速关断，则按照所述第二工作模式控制所述低通态压降IGBT；

若所述控制状态为慢速开通和快速关断，则按照所述第三工作模式控制所述低通态压降IGBT；

若所述控制状态为快速开通和快速关断，则按照所述第四工作模式控制所述低通态压降IGBT。

5.一种如权利要求1-4任一种所述低通态压降IGBT的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在N型衬底的上表面淀积第一金属层，对所述第一金属层进行光刻和刻蚀形成所述低通态压降IGBT的栅极、发射极和控制电极；

在N型衬底的下表面电极第二金属层，形成所述低通态压降IGBT的集电极。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在N型衬底的上表面淀积第一金属层包括：

在所述N型衬底的上表面生长氧化层，对所述氧化层进行光刻和刻蚀形成有源区窗口，向N型衬底进行掺杂形成PN结；

对所述氧化层进行光刻和刻蚀形成引线孔；

在所述氧化层上淀积第一金属层，该第一金属层向下填入所述引线孔且与所述N型衬底的有源区接触。