[发明专利]测试结构及测试单元有效
申请号: | 201610940330.8 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN107978537B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 王志娟;宋永梁 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;张建 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 结构 单元 | ||
1.一种测试结构,用于测试电压击穿性能,其特征在于,包括:
上层金属层,所述上层金属层包括第一梳状金属线和第二梳状金属线,所述第一梳状金属线包括多个并行排列的第一梳齿金属线,所述第二梳状金属线包括多个并行排列的第二梳齿金属线,且所述第一梳齿金属线和第二梳齿金属线交错相嵌布置;
中层金属层,所述中层金属层包括第三梳状金属线和第四梳状金属线,所述第三梳状金属线包括多个并行排列的第三梳齿金属线,所述第四梳状金属线包括多个并行排列的第四梳齿金属线,并且所述第三梳齿金属线和第四梳齿金属线交错相嵌布置;
下层金属层,所述下层金属层包括多个并行排列的第五金属线,且所述多个第五金属线彼此电性连接,
其中,所述上层金属层、中层金属层和下层金属层沿垂直方向依次布置,所述第一梳状金属线和第三梳状金属线通过通孔电性连接,所述第二梳状金属线和第四梳状金属线通过通孔电性连接,
所述第一梳状金属线、第三梳状金属线连接至第一测试焊盘,所述第二梳状金属线、第四梳状金属线连接至第二测试焊盘,所述下层金属层通过二极管连接第一测试焊盘。
2.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第一梳齿金属线的至少一侧连接有若干平行或垂直于所述第一梳齿金属线的第一金属盘,所述第二梳齿金属线的至少一侧连接有若干平行或垂直于所述第二梳齿金属线的第二金属盘,相邻的第一梳齿金属线和第二梳齿金属线上的第一金属盘和第二金属盘交错相嵌布置;
所述第三梳齿金属线的至少一侧连接有若干平行或垂直于所述第三梳齿金属线的第三金属盘,所述第四梳齿金属线的至少一侧连接有若干平行或垂直于所述第四梳齿金属线的第四金属盘,相邻的第三梳齿金属线和第四梳齿金属线上的第三金属盘和第四金属盘交错相嵌布置。
3.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于,所述第一金属盘和第三金属盘对齐,且处于对齐位置的一对第一金属盘和第三金属盘通过第一通孔电性连接,所述第二金属盘和第四金属盘对齐,且处于对齐位置的一对第二金属盘和第四金属盘通过第二通孔电性连接。
4.根据权利要求3所述的测试结构,其特征在于,用于连接每对第一金属盘和第三金属盘的第一通孔的数量为偶数,且呈均匀分布;用于连接每对第二金属盘和第四金属盘的第二通孔的数量为偶数,且呈均匀分布。
5.根据权利要求3所述的测试结构,其特征在于,相邻第一通孔和第二通孔不处于对齐位置上。
6.根据权利要求3所述的测试结构,其特征在于,所述第一梳齿金属线和第三梳齿金属线对齐,且处于对齐位置的一对第一梳齿金属线和第三梳齿金属线通过第三通孔电性连接,
其中,所述第二通孔和所述第三通孔处于对齐位置上。
7.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第一梳齿金属线和第三梳齿金属线对齐,且处于对齐位置的一对第一梳齿金属线和第三梳齿金属线通过第三通孔电性连接,所述第二梳齿金属线和第四梳齿金属线对齐,且处于对齐位置的一对第二梳齿金属线和第四梳齿金属线通过第四通孔电性连接。
8.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述下层金属层的第五金属线呈迂回折线状。
9.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述二极管的阳极与所述第一测试焊盘连接,阴极与所述下层金属层连接。
10.根据权利要求1-8中的任意一项所述的测试结构,其特征在于,不同梳状金属线之间以及不同金属层之间形成有电介质。
11.一种测试单元,用于测试电压击穿性能,其特征在于,包括多个如权利要求1-10中任意一项所述的测试结构。
12.根据权利要求11所述的测试单元,其特征在于,所述多个测试结构分布在晶圆的不同区域内。
13.根据权利要求11所述的测试单元,其特征在于,所述多个测试结构沿垂直方向依次布置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610940330.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造