[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

栅极绝缘膜，设置于所述半导体基板的上表面；

层间绝缘膜，其设置于所述半导体基板的上表面的上方；

氮化钛层，其设置于所述层间绝缘膜的上方，并且覆盖所述层间绝缘膜的上表面和侧面；

镍层，其设置于所述氮化钛层的上方；

储氢层，设置于所述氮化钛层和所述镍层的上方，且由具有储氢性的第一金属形成；

第一氮化物层，设置于所述储氢层的上方，且由所述第一金属的氮化物形成；

合金层，设置于所述第一氮化物层的上方，且由铝和第二金属的合金形成；

电极层，设置于所述合金层的上方，且由铝形成；

栅极，其设置于所述栅极绝缘膜的上方以及所述储氢层的下方；以及

设置于所述电极层的上方的焊料层，

在所述电极层和所述第一氮化物层之间，不设置有所述第二金属的纯金属层，

所述镍层在与所述栅极对置的至少一部分区域不覆盖所述氮化钛层，

所述合金层至少形成在与所述焊料层对置的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板具有：

P型的基层；以及

N型的源区，其形成于所述基层的一部分区域，

所述栅极绝缘膜与所述基层的至少一部分以及所述源区的至少一部分相接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第一金属为钛。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第二金属为钛、钼、钨、钒、铬、铜以及镍中的任一种。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第二金属为钛。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述合金层的厚度为15nm以上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述合金层的厚度为0.5μm以下。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述电极层的厚度为3μm以下。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述电极层的厚度为1μm以上且2μm以下。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述储氢层的厚度为50nm以上且200nm以下。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在所述层间绝缘膜形成有使形成于所述半导体基板的上表面的源区露出的开口，

所述储氢层、所述第一氮化物层以及所述合金层至少形成在所述层间绝缘膜的所述开口的上方。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

所述储氢层、所述第一氮化物层以及所述合金层还形成于沿着所述层间绝缘膜的所述开口的侧面的区域。

13.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板为碳化硅基板。

14.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板具有：

P型的接触区，其形成于所述源区的一部分区域；以及

硅化物区，其形成于所述源区和所述接触区的上部，

所述栅极绝缘膜不覆盖所述硅化物区的至少一部分区域。