[发明专利]一种晶圆版图中图案的CDSEM扫描方法在审
申请号: | 201610940079.5 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN107978536A | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 柏耸 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人: | 高伟,冯永贞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 版图 图案 cdsem 扫描 方法 | ||
1.一种晶圆版图中图案的CDSEM扫描方法,其特征在于,所述方法包括:
将CDSEM中电子束垂直于所述晶圆版图进行扫描,以得到所述晶圆版图中所述图案的水平形貌;
将CDSEM中电子束倾斜于所述晶圆版图进行扫描,以得到所述晶圆版图中所述图案的侧面形貌;
根据得到的所述水平形貌和所述侧面形貌对所述晶圆版图中图案的特征进行分析和检测。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述CDSEM中所述电子束与所述晶圆版图的法线之间的夹角为7-14°。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述晶圆版图进行扫描的步骤包括:
对所述晶圆版图进行初步扫描,以确定所述图案所在的区域;
将所述电子束聚焦在所述图案所在的所述区域,以对所述图案进行扫描。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过调整所述电子束与所述晶圆版图之间的电压差,以使所述电子束聚焦在所述图案上。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过调节电子束镜头的参数,以实现焦点的上下移动并使所述电子束聚焦在所述图案上。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过调整所述晶圆版图的位置,以使所述电子束聚焦在所述图案上。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,通过移动放置所述晶圆版图的托盘来调整所述晶圆版图的位置,所述托盘的移动通过压电陶瓷的方法实现。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述电子束垂直于所述晶圆版图进行扫描的步骤中,所述电子束在水平面中的第一方向和第二方向上对所述图案进行扫描,其中,所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述电子束倾斜于所述晶圆版图进行扫描的步骤中,所述电子束在第三方向上对所述图案进行扫描,所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向所在的所述水平面。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述CDSEM中水平扫描的测量精度在测量的关键尺寸的1.5%以内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造