[发明专利]闪存及其制造方法

说明书

本发明公开了闪存及其制造方法，其中该方法包括：依次同时刻蚀电容区和外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层，以在电容区中形成初始源极引出区和初始漏极引出区；在初始源极引出区、初始漏极引出区和绝缘层上形成控制栅层；同时刻蚀初始源极引出区、初始漏极引出区和外围区中的控制栅层，以在电容区中形成最终源极引出区和最终漏极引出区。本发明通过依次同时刻蚀电容区和外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层，然后同时刻蚀初始源极引出区、初始漏极引出区和外围区中的控制栅层，在电容区中形成最终源极引出区和最终漏极引出区，实现了在形成源极引出区和漏极引出区时，减少了对有源层的损伤。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及闪存及其制造方法。

背景技术

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，通常包括存储区、外围区和电容区，存储区的尺寸和存储单元密度远大于电容区尺寸和密度。

在现有的闪存制造过程中，在利用控制栅刻蚀工艺形成存储区中位线的同时，刻蚀出电容区的源极和漏极引出区，也即是在控制栅刻蚀过程中同时刻蚀电容区和存储区。但是根据刻蚀过程中的负载效应(loading effect)可知，由于存储区尺寸和存储单元密度远大于电容区的尺寸和密度，刻蚀物质在存储区中被消耗掉的程度较为严重，导致单位刻蚀面积内的反应物质浓度变低，而蚀刻速率却又与反应物质浓度成正比关系，在刻蚀同种材料和同样深度的情况下，刻蚀存储区需要刻蚀更长的时间。由于存储区和电容区是同时刻蚀的，当存储区刻蚀完成后，电容区的源极引出区和漏极引出区会出现过刻蚀，导致有源层出现损伤。图1为现有技术中形成源极和漏极引出区后的电容区结构示意图，参考图1，从下往上依次为有源层11、隧穿氧化层12、浮栅层13、绝缘层14和控制栅层15。从图中可以看出，在形成源极引出区16和漏极引出区17后，有源层11也被刻蚀掉一部分。

现有技术中，在电容区中刻蚀源极引出区16和漏极引出区17时，由于同时刻蚀电容区和存储区，导致在源极引出区16和漏极引出区17处出现过刻蚀，使有源层11受损。

发明内容

本发明提供一种闪存及其制造方法，以实现在形成源极引出区和漏极引出区时，减少对有源层的损伤。

第一方面，本发明提供了一种闪存的制造方法，包括：

依次同时刻蚀电容区和外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层，以在所述电容区中形成初始源极引出区和初始漏极引出区；

在所述初始源极引出区、所述初始漏极引出区和所述绝缘层上形成控制栅层；

同时刻蚀所述初始源极引出区、所述初始漏极引出区和所述外围区中的控制栅层，以在所述电容区中形成最终源极引出区和最终漏极引出区。

上述方法中，可选的，在所述依次同时刻蚀电容区和外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层之前，还包括：

在有源层上依次形成隧穿氧化层、浮栅层和绝缘层。

上述方法中，可选的，所述隧穿氧化层采用原位水汽生长工艺形成。

上述方法中，可选的，所述隧穿氧化层的材料为二氧化硅。

上述方法中，可选的，所述浮栅层采用化学气相沉积工艺形成。

上述方法中，可选的，所述依次同时刻蚀所述电容区和所述外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层包括：

采用湿法刻蚀工艺依次同时刻蚀所述电容区和所述外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层。

上述方法中，可选的，所述绝缘层包括依次在所述浮栅层上形成的第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层。

上述方法中，可选的，在所述形成最终源极引出区和最终漏极引出区之后，还包括：