[发明专利]驱动方法与驱动装置

说明书

本公开提供一种驱动方法与驱动装置。驱动方法应用于包含至少一桥臂和电感的变换电路，所述桥臂包括串联的上开关管和下开关管，所述电感的一端连接于所述桥臂的中点。驱动方法包括：在所述变换电路发生急停事件时，判断所述变换电路中所述电感的电流方向；在判断所述电感的电流方向为第一方向时，导通所述上开关管，并关断所述下开关管，其中，所述第一方向为所述下开关管的正向导通方向；在判断所述电感的电流方向为第二方向时，关断所述上开关管，并导通所述下开关管，其中，所述第二方向为所述上开关管的正向导通方向。本公开提供的驱动方法可以避免急停事件发生时开关管的寄生二极管产生较大的热应力，避免开关管因过热而失效或损坏。

技术领域

本公开涉及电子电力技术领域，具体而言，涉及一种应用于变换电路的驱动方法与驱动装置。

背景技术

随着电子技术的发展，电源变换电路得到了越来越广泛的应用。例如，参考图1，一种传统的电源变换电路100包括上开关管G1，下开关管G2、电感L、负载电阻R1以及电容C1、C2、C3，该电路正常工作时，上开关管G1与下开关管G2互补导通。

对于类似图1所示的电源变换电路，当发生急停事件时，如过流、过压和过热保护等，传统的保护方法是不区分电流方向而将上下开关管均关闭。

当开关管为逆导型半导体开关管，如碳化硅MOSFET，其内部寄生的反向二极管通常具有较高的导通压降，在反向大电流流过该内部寄生二极管时将产生很大的功率损耗。因此，如果电感的续流电流反向流过上下两个开关管之一的寄生二极管，会造成该寄生二极管承受较大的功率损耗和热应力，严重时将被烧毁。

对此，通常采用的一种应对方法是在开关管上反向并联一个高性能的二极管。由于该二极管的导通压降较低，反向电流将从二极管流过，避免了开关管被关断时寄生二极管产生反向导通损耗及热应力。但这种方法增加了额外的材料成本和制造成本。此外，通常采用的另一种应对方法是采用较大电流规格的开关管，并同时配置高灵敏度的保护检测电路，使控制电路在电路或系统出现异常时，快速检测并触发保护动作，以实现尽早关断开关管，避免出现较大过电流或过热问题。但是这种方法提高了保护检测电路的要求和开关管的成本。因此，仍然需要开发能够兼顾这一类功率变换电路正常运行和急停保护并且限制热应力的方法。需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种应用于变换电路的驱动方法与驱动装置，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种驱动方法，应用于变换电路，所述变换电路包括至少一桥臂和一电感，所述桥臂包括串联的上开关管和下开关管，所述电感的一端连接于所述桥臂的中点；所述驱动方法包括：在所述变换电路发生急停事件时，判断所述变换电路中所述电感的电流方向；在判断所述电感的电流方向为第一方向时，导通所述上开关管，并关断所述下开关管，其中，所述第一方向为所述下开关管的正向导通方向；在判断所述电感的电流方向为第二方向时，关断所述上开关管，并导通所述下开关管，其中，所述第二方向为所述上开关管的正向导通方向。

在本公开的一种示例性实施例中，所述驱动方法还包括：如果判断所述电感的电流幅值不满足一预设条件，关断所述上开关管以及所述下开关管。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述变换电路发生急停事件时：如果判断所述电感的电流方向为第一方向且幅值满足一预设条件，导通所述上开关管，并关断所述下开关管；如果判断所述电感的电流方向为第二方向且幅值满足所述预设条件，关断所述上开关管，并导通所述下开关管；如果判断所述电感的电流幅值不满足所述预设条件，关断所述上开关管以及所述下开关管。

在本公开的一种示例性实施例中，所述预设条件为所述电感的电流幅值的绝对值大于一阈值。