[发明专利]离子注入工艺对准质量的检验方法

说明书

本发明提供一种离子注入工艺对准质量的检验方法，包括：在半导体基底的预定区域形成具有第一图形的覆盖层；同时在半导体基底的目标区域和覆盖层上形成掩膜层，目标区域为需进行离子注入工艺的区域；以掩膜层为掩膜，先进行离子注入工艺；以掩膜层为掩膜，刻蚀覆盖层，形成第二图形；根据第一图形和第二图形的相对位置，检验离子注入工艺是否对准。本发明提供方法根据第一图形和第二图形的相对位置，即可检验离子注入工艺是否对准，解决了离子注入工艺去除掩模后无法判断离子注入图形对准质量的问题，尽早检测离子注入对准质量，使对准异常的产品无需完成后续生产流程，节约生产成本，提高半导体产品的市场竞争力。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件制作领域，尤其涉及一种离子注入工艺对准质量的检验方法。

背景技术

离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术，其利用离子注入机实现半导体的掺杂，即将特定的杂质原子以离子加速的方式注入半导体晶体内改变其导电特性，并最终形成晶体管结构。随着半导体集成电路的高速发展，对工艺提出了更高的要求，特别是对关键工艺的影响更大。

现有技术中采用掩模方式的离子注入工艺通常是，首先在硅片表面制备掩模，接着进行离子注入，离子注入时对整个硅片进行均匀的地毯式注入，通过掩模实现对选择性区域进行掺杂，其生产效率高，设备相对简单，控制容易。

离子注入工艺是否对准影响着整个半导体器件的性能，离子注入工艺的对准指的是掩模是否对准，即所覆盖和/或所露出的部位是否在预设位置。但是，现有技术中，半导体器件只有在完成全部流程后才能对离子注入工艺是否对准进行检测，此时，如果测试结果异常才能判断离子注入工艺的图形对准异常，这样的检测方式具有一定的滞后性，造成极大的半导体器件生产成本的浪费。

发明内容

本发明提供一种离子注入工艺对准质量的检验方法，解决了现有的离子注入工艺去除掩模后无法判断离子注入工艺的图形对准质量的问题，可以实现尽早对离子注入对准质量进行检测，对于对准异常的产品无需完成全部生产流程，节约生产成本，提高半导体产品的市场竞争力。

本发明提供的离子注入工艺对准质量的检验方法，包括：

在半导体基底的预定区域形成具有第一图形的覆盖层；

同时在所述半导体基底的目标区域和所述覆盖层上形成掩膜层，所述目标区域为需进行离子注入工艺的区域；

以所述掩膜层为掩膜，进行离子注入工艺；

以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述覆盖层，形成第二图形；

根据所述第一图形和所述第二图形的相对位置，检验所述离子注入工艺是否对准。

进一步的，在半导体基底的预定区域形成具有第一图形的覆盖层包括：

同时在所述半导体基底的所述预定区域和所述目标区域上形成覆盖材料层；

对所述覆盖材料层进行刻蚀，在所述预定区域上形成具有第一图形的覆盖层。

进一步的，同时在所述半导体基底的目标区域和所述覆盖层上形成掩膜层，包括：

在所述目标区域的覆盖层上和所述预定区域的覆盖层上，同时形成掩膜材料层；

对所述掩膜材料层进行刻蚀，在所述目标区域的覆盖层上和所述预定区域的覆盖层上形成掩膜层。

进一步的，在以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述覆盖层，形成第二图形，包括：

以所述预定区域上的掩膜层为掩膜，刻蚀所述覆盖层，形成第二图形。

优选的，所述覆盖层为氧化层。

进一步的，所述覆盖层的厚度为50埃～200埃。