[发明专利]一种非接触电能传输系统在审
| 申请号： | 201610935269.8 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106655534A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 牟宪民;潘振方;陈希有;周宇翔;杨爱平 | 申请（专利权）人： | 中电投吉林核电有限公司;大连理工大学 |
| 主分类号： | H02J50/12 | 分类号： | H02J50/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 徐秋平 |
| 地址： | 130000 吉林省长春市南关区*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 电能 传输 系统 | ||
1.一种非接触电能传输系统，其特征在于，包括：
包括E类功率放大器的逆变单元，与所述非接触电能传输系统的输入端相连，用于将输入所述非接触电能传输系统的直流电能转换为交流电能；
包括耦合电感的谐振单元，与所述逆变单元相连，用于通过谐振将所述逆变单元输出的交流电能转换为直流电能；其中，所述耦合电感包括发射线圈和与所述发射线圈相耦合的接收线圈；
所述发射线圈将转换的直流电能通过耦合传输至所述接收线圈并予以输出。
2.根据权利要求1所述的非接触电能传输系统，其特征在于：所述逆变单元还包括直流电感，所述直流电感连接在所述E类功率放大器和所述非接触电能传输系统的输入端之间。
3.根据权利要求1所述的非接触电能传输系统，其特征在于：所述E类功率放大器为NMOS管；
所述NMOS管的源极和漏极分别连接在所述非接触电能传输系统的输入端；且源极和漏极还与所述谐振单元相连。
4.根据权利要求2所述的非接触电能传输系统，其特征在于：所述谐振单元还包括第一电容和第二电容；
所述第一电容的一端分别与所述NMOS管的漏极和所述第二电容的一端相连；另一端分别与所述NMOS管的源极和所述发射线圈的另一端连接；
所述第二电容的一端分别与所述NMOS管的漏极和所述第一电容的一端相连；另一端与所述发射线圈的一端相连；
所述发射线圈连接在所述第一电容和所述第二电容之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电投吉林核电有限公司;大连理工大学，未经中电投吉林核电有限公司;大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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