[发明专利]一种等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含引入反应气体的反应腔，所述反应腔的腔体内设有底部基座来放置待处理的基板；所述腔体的侧壁上设有腔盖，所述腔盖上设有介电窗，该介电窗设置有加热器；

所述介电窗上设置有电感线圈，所述电感线圈的数量是一个或多个；所述电感线圈上方设置有风扇；

任意一个所述电感线圈包含底层线圈，及位于底层线圈上方的连接射频电源的输入线圈和接地的输出线圈，所述输入线圈、底层线圈、输出线圈相互隔开并通过接线部件进行串联；所述底层线圈开设有穿过该底层线圈上表面至下表面的若干贯通结构。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述底层线圈上设有均匀分布的一组贯通结构，其各自到底层线圈几何中心的距离相等；所述贯通结构是通孔或通槽。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述底层线圈上设有交替布置的两组贯通结构，第一组贯通结构各自到底层线圈几何中心的距离小于第二组贯通结构各自到底层线圈几何中心的距离，且第一组贯通结构各自在底层线圈靠近几何中心的内侧形成开口，第二组贯通结构各自在底层线圈远离几何中心的外侧形成开口；所述贯通结构是通孔或通槽。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述输入线圈、底层线圈、输出线圈各自为不闭合的环形结构；

所述输入线圈及输出线圈位于同一高度，其向下的投影位于底层线圈上，分别通过纵向的连接部件与底层线圈进行串联；所述输入线圈、底层线圈、输出线圈中的电流方向相同。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述输入线圈是外环线圈或内环线圈其中的一个，所述输出线圈是其中的另一个；所述外环线圈绕设在内环线圈外侧。

6.如权利要求1~3中任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述输入线圈中通过连接部件进行串联的多个线圈段，位于不同的高度且各自与底层线圈几何中心之间的横向距离不同；

所述输出线圈中通过连接部件进行串联的另外多个线圈段，位于不同的高度且各自与底层线圈几何中心之间的横向距离不同；

所述输入线圈与输出线圈中位于同一高度的线圈段，具有到所述底层线圈几何中心不同的横向距离。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述电感线圈设置有相互隔开的多个线圈组，各自包含串联的输入线圈、底层线圈、输出线圈；各个线圈组的底层线圈位于同一高度；不同线圈组中位于同一高度的线圈段横向错开；任意一个线圈段向下的投影，位于所属线圈组的底层线圈上或位于其他线圈组的底层线圈上。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

连接相应射频电源的多个线圈组，在其各自输入线圈、底层线圈、输出线圈中电流的方向相同，电流的数值相同或不同；

或者，连接相应射频电源的多个线圈组中，至少一个线圈组的输入线圈、底层线圈、输出线圈电流方向与其他线圈组中不同，且电流的数值与其他线圈组中不同。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述底层线圈的宽度大于所述输入线圈和输出线圈的宽度，且输入线圈和输出线圈的向下投影位于所述底层线圈上。