[发明专利]磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备

权利要求书

1.一种磁性薄膜沉积腔室，包括腔室主体，在所述腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件，其特征在于，还包括偏置磁场装置，所述偏置磁场装置用于在所述基座上方形成水平磁场，所述水平磁场用于在所述待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层；

所述偏置磁场装置包括：环绕所述基座设置的磁体组，所述磁体组用于在所述基座上方形成所述水平磁场；

所述磁体组包括两组呈圆弧状的子磁体组，二者对称环绕在所述基座的两侧；

每组所述子磁体组包括多个磁柱，且所述多个磁柱沿所述基座的周向间隔分布。

2.根据权利要求1所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，每组所述子磁体组中，各个所述磁柱的磁极方向相互平行。

3.根据权利要求1所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，每组所述子磁体组中，各个所述磁柱的磁极方向沿所述基座的径向设置。

4.根据权利要求2或3所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，每个所述磁柱水平设置，且其中一个所述子磁体组中的每个所述磁柱的N极与其中另一个所述子磁体组中的每个所述磁柱的S极均朝向基座。

5.根据权利要求2或3所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，每个所述磁柱竖直设置，且其中一个所述子磁体组中的每个所述磁柱的N极与其中另一个所述子磁体组中的每个所述磁柱的S极均竖直向上。

6.根据权利要求2或3所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，每个所述磁柱倾斜设置，且其中一个所述子磁体组中的每个所述磁柱的N极与其中另一个所述子磁体组中的每个所述磁柱的S极均朝向靠近所述基座的方向倾斜向上。

7.根据权利要求1所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，在所述多个磁柱中，靠近圆弧两端的一部分磁柱的分布密度小于靠近圆弧中间的另一部分磁柱的分布密度。

8.根据权利要求1所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，每组所述子磁体组所对应的弦长大于或等于待加工工件直径。

9.根据权利要求1-3，7-8任意一项所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述偏置磁场装置包括：

支撑板，用于支撑所述磁体组；

内固定板和外固定板，设置在所述支撑板上，且分别位于所述磁体组的内侧和外侧，用以分别固定所述磁体组的两端磁极；

上盖，位于所述磁体组的上方，且分别与所述外固定板和内固定板固定连接；

所述磁体组位于所述支撑板、所述外固定板、所述内固定板和所述上盖所围成的空间内。

10.根据权利要求1-3，7-8任意一项所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述磁性薄膜沉积腔室还包括遮蔽组件，所述遮蔽组件用于遮蔽所述偏置磁场装置，防止靶材材料沉积在所述偏置磁场装置上。

11.根据权利要求10所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述遮蔽组件包括：

屏蔽件，所述屏蔽件包括第一竖直部、水平部和第二竖直部，所述第一竖直部环绕设置在所述腔室主体的侧壁内侧，所述水平部的外周缘与所述第一竖直部的下端连接，所述水平部的内周缘与所述第二竖直部的上端连接；

所述水平部和第二竖直部分别位于所述偏置磁场装置的上方和内侧。

12.根据权利要求11所述的磁性薄膜沉积腔室，其特征在于，所述磁性薄膜沉积腔室还包括，支撑件和压环，其中，

所述压环用于压住所述待加工工件上表面的边缘区域；

所述支撑件与所述第二竖直部的下端连接，用以支撑所述压环。