[发明专利]集成电路用掩模版背曝方法

说明书

本发明公开了一种集成电路用掩模版背曝方法，属于半导体技术领域，该背曝方法的曝光方式是放在白光下曝光，无需使用曝光机台，有效地减轻了曝光机压力，提高产能，且变更后的曝光方式操作简便快捷，安全可靠。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种集成电路用掩模版背曝方法。

背景技术

在半导体、集成电路、光伏产品等电子产品制造过程中，需要对以半导体晶片和光掩模版为代表的各种掩模版进行光刻处理，这些掩模版还包括液晶显示器、等离子体显示器用玻璃掩模版、磁盘、光磁盘母版等，以下统称为掩模版。在加工时，需要使用光致抗蚀材料(光刻胶)在掩模版上形成集成电路和半导体器件的布局图案或者其它电路图案和数据图案。掩模版完成曝光、显影、刻蚀、去胶等加工工艺之后，有可能出现掩模版上的图形线宽不符合客户设计的线宽，需要对现有线宽进行修正，保证整个集成电路设计图形的完整性及一致性。线宽不符合规范包括偏大和偏小两种情况，由于决定线宽大小的控制因子很多，尽管工艺部门会持续优化控制参数，但偶尔线宽超出规格依然是不可避免的，本发明主要是针对整片掩模版图形clear线宽偏小进行修正。

目前，线宽修正主要集中在去胶前判断并进行加蚀刻动作，对于已去胶后的产品，如clear线宽偏小，可通过二次曝光进行修正，但此方法需要使用曝光机台进行二次曝光，不仅占用机台时间降低产能，且进行二曝时对曝光定位精准度要求比较高，修正速度慢。

发明内容

本发明的目的是提供一种提高线宽修正速度、减少曝光机台负荷和使用率、提高产能并最终达到提高产品合格率的目的用于集成电路掩模版clear线宽偏小修正的背曝方法。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：集成电路用掩模版clear线宽偏小的修正方法，包括如下步骤：

a、提供clear线宽偏小的掩模版，并在所述掩模版的金属层一侧的版面上涂覆光刻胶；

b、将涂有光刻胶的掩模版的玻璃面向上，放在白光区照射，利用白光照射掩模版的玻璃面；

c、将照射完的掩模版，放至显影机进行显影；

d、将显影完的掩模版放至蚀刻机进行蚀刻。

所述光刻胶为正性光刻胶。

本发明所述的集成电路用掩模版背曝方法，具有如下有益效果：

1、该掩模版背曝方法是使用既有的工艺设备完成，勿须其它支撑性设备；

2、该掩模版背曝方法的曝光方式是放在白光下曝光，无需使用曝光机台，有效地减轻了曝光机压力，提高产能；

3、该掩模版背曝方法的曝光方式，操作简便，可以加快修正速度。

附图说明

图1是步骤a中clear线宽偏小的掩模版的剖视图；

图2是步骤a中涂覆光刻胶后的掩模版的剖视图；

图3是步骤b中白光照射曝光光刻胶时的掩模版的剖视图；

图4是步骤c中曝光后的掩模版显影的剖视图；

图5是步骤d中蚀刻后的掩模版的剖视图；

图6是步骤e中去胶后的掩模版的剖视图；

图中：玻璃板1、金属层2、光刻胶3、clear线宽d。

具体实施方式

由图1-图6所示的集成电路用掩模版背曝方法，包括如下步骤：