[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供初始结构，所述初始结构包括：待蚀刻材料层和位于所述待蚀刻材料层上的掩模结构，所述掩模结构包括具有亲水性的第一掩模层；

对所述掩模结构图案化以形成图案化的掩模结构；

以所述图案化的掩模结构作为掩模，蚀刻所述待蚀刻材料层；

对所述第一掩模层执行疏水性处理；以及

执行清洗处理；

其中，所述疏水性处理包括等离子体处理，所述等离子体处理所用的气体包括：He和烷烃类气体；

所述烷烃类气体包括甲烷；

以He和甲烷作为所述等离子体处理所用的气体，所述等离子体处理在10毫托至200毫托的气压范围内，在0℃至150℃的温度范围内，以及在6秒至5分钟的处理时间内执行。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一掩模层的材料包括二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述初始结构还包括位于所述待蚀刻材料层与所述掩模结构之间的缓冲层；

其中，在蚀刻所述待蚀刻材料层的步骤中，所述缓冲层也被蚀刻。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述掩模结构还包括：在所述缓冲层上的硬掩模层，其中所述第一掩模层位于所述硬掩模层上；以及

所述掩模结构还包括：位于所述第一掩模层上的第二掩模层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述硬掩模层包括多晶硅层和/或氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

利用光刻和蚀刻工艺对所述掩模结构图案化。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一掩模层在所述待蚀刻材料层上，

所述掩模结构还包括：位于所述第一掩模层上的底部抗反射涂层BARC层、以及在所述BARC层上的图案化的第二掩模层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所述掩模结构图案化的步骤包括：

以所述图案化的第二掩模层作为掩模，蚀刻所述BARC层以形成图案化的BARC层；

沉积第三掩模层以覆盖所述图案化的第二掩模层和所述图案化的BARC层；

蚀刻所述第三掩模层并去除所述第二掩模层和所述BARC层以形成图案化的第三掩模层；以及

以所述图案化的第三掩模层作为掩模，蚀刻所述第一掩模层，从而形成图案化的掩模结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一掩模层在所述待蚀刻材料层上，

所述掩模结构还包括：位于所述第一掩模层上的第一硬掩模层、位于所述第一硬掩模层上的第二硬掩模层、位于所述第二硬掩模层上的BARC层、以及在所述BARC层上的图案化的第二掩模层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

对所述掩模结构图案化的步骤包括：

以所述图案化的第二掩模层作为掩模，蚀刻所述BARC层和所述第二硬掩模层以形成图案化的BARC层和图案化的第二硬掩模层；

去除所述BARC层和所述第二掩模层；

沉积第三掩模层以覆盖所述图案化的第二硬掩模层；

蚀刻所述第三掩模层并去除所述第二硬掩模层以形成图案化的第三掩模层；

以所述图案化的第三掩模层作为掩模，蚀刻所述第一硬掩模层以形成图案化的第一硬掩模层；

去除所述第三掩模层；

沉积第四掩模层以覆盖所述图案化的第一硬掩模层；

蚀刻所述第四掩模层并去除所述第一硬掩模层以形成图案化的第四掩模层；以及

以所述图案化的第四掩模层作为掩模，蚀刻所述第一掩模层，从而形成图案化的掩模结构。