[发明专利]一种脑部磁探测电阻抗成像系统在审

专利信息
申请号: 201610922818.8 申请日: 2016-10-25
公开(公告)号: CN107970033A 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 陈瑞娟;冯彦博;王金海 申请(专利权)人: 天津工业大学
主分类号: A61B5/053 分类号: A61B5/053
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300387 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 脑部 探测 阻抗 成像 系统
【权利要求书】:

1.一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述脑部磁探测电阻抗成像系统包括:电磁检测帽,激励采集控制模块,图像处理显示设备。其中,

所述电磁检测帽可佩戴于人体头部,所述电磁检测帽具有内外两层,内层帽上放置有激励电极,外层冒上安置磁场传感器,电极与磁场传感器通过导线与激励采集控制模块相连接;所述激励采集控制模块具有控制激励电流与采集磁场信息的作用,所述激励采集控制模块可根据需求调整参数以输出与处理不同强度和频率的信号,所述激励采集控制模块对采集信号进行滤波、放大、模数转换等,并将信号传输到图像处理显示设备;所述图像处理显示设备集成微处理器与显示屏幕,通过所得脑部电磁场信息重建成像体脑部电阻抗分布图像。

2.根据权利要求1所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述电磁检测帽具体为:制作材质为具有弹性,可折叠的纺织物或橡胶制品。

3.根据权利要求2所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述电磁检测帽具体为:内层帽通过孔洞使得激励电极与头部皮肤直接接触。

4.根据权利要求2所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述电磁检测帽具体为:内层帽激励电极的位置、数量依据激励信号的注入方式选择。

5.根据权利要求2所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述电磁检测帽具体为:外层帽表面具有放置电磁传感器的凹槽,且凹槽数量大于等于需要放置的电磁传感器数量。

6.根据权利要求2所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述电磁检测帽具体为:外层帽表面放置电磁场传感器的位置、数量依据测量所需的取点位置、数量决定。

7.根据权利要求2所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述电磁检测帽具体为:内层帽和外层帽之间用非电磁介质进行填充。

8.根据权利要求1所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述激励采集控制模块具体为:具有控制激励信号与采集磁场信息的功能。

9.根据权利要求8所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述激励采集控制模块具体为:输出激励信号为电流或电压。

10.根据权利要求8所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述激励采集控制模块具体为:输出激励信号为单一频率或多频率的信号,且频率、幅值可调。

11.根据权利要求8所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述激励采集控制模块具体为:对采集的磁场信号进行滤波、放大、模数转换。

12.根据权利要求1所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述图像处理显示设备具体为:利用采集得到的脑部电磁场分布信息重建成像体脑部电阻抗分布图像,并在显示设备上进行显示。

13.根据权利要求12所述的一种脑部磁探测电阻抗成像系统,其特征在于,所述图像处理显示设备具体为:图像重建模块可以重建成像体在静止或运动状态下的脑部电阻抗分布图像。

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