[发明专利]有机发光元件

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求于2015年10月28日向韩国知识产权局提交的第10-2015-0150124号韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的实施方式涉及有机发光元件和有机发光二极管显示器。

背景技术

近来，由于监视器、电视等追求重量和厚度的减少所以阴极射线管(CRT)在市场上已被液晶显示器(LCD)取代。然而，由于LCD为无源发光装置，因此LCD需要另外的背光源。另外，LCD在响应速度和视角方面存在问题。

作为能够克服前述局限性的显示装置，有机发光二极管显示器(其为具有宽视角、优异的对比度和快速响应时间的方面的自发光显示元件)已吸引大量注意力。

有机发光二极管显示器包括用于发光的有机发光元件，且有机发光元件由发生在发光层中的电子(其从一个电极注入)和空穴(其从另一电极注入)的复合形成激子，并且这些激子发射能量以使发光。

有机发光元件自动发光而不需另外的光源，以使其能够在功耗减少的情况下操作。另外，有机发光元件可以改善显示装置的柔性，同时减少显示装置的厚度和重量，并且同时也改善响应速度、视角和对比度。

在背景部分中公开的上述信息仅用于增强理解，因此可含有不形成现有技术的信息。

发明内容

本公开的实施方式提供用于提高发光效率以及用于增加有机发光元件的寿命的有机发光元件，以及包括该有机发光元件的有机发光二极管显示器。

根据本公开的示例性实施方式的有机发光元件包括第一电极，第二电极，在第一电极和第二电极之间的发光层，在第二电极和发光层之间的电子注入层以及在电子注入层和第二电极之间的阻挡层，其中阻挡层的功函大于第二电极的功函。

阻挡层和第二电极之间的功函差可以小于或等于约1.0eV。

阻挡层可以包括选自由Ag、Al、Fe、In、Ti、Zn、Cr、Mn、Cu、Ga、Zr、Nb、Mo、Sn、Ta、W、Tl、Bi、Pb和Sb组成的至少一种。

第二电极可以包括Ag单层，或者包括Ag和具有小于或等于约4.0eV的功函的金属。

在第二电极中，由Ag占据的体积与由所述具有小于或等于约4.0eV的功函的金属占据的体积的比例可以在约10:1至约10:3的范围内。

第二电极可以包括AgMg合金或者AgAl合金。

第二电极可以包括多个层，该多个层分别包括具有小于或等于约4.0eV的功函的金属和Ag。

电子注入层可以包括选自基于1族金属、2族金属、过渡金属或者后过渡金属的卤素偶极子材料中的至少一种，或者选自基于所述1族金属、所述2族金属、所述过渡金属或者所述后过渡金属的氧化物中的至少一种。

阻挡层的厚度可以小于或等于约5nm。

有机发光元件还可以包括在发光层和电子注入层之间的电子传输层，以及在第一电极和发光层之间的空穴传输层。

根据本公开的示例性实施方式的有机发光二极管显示器包括基板，在基板上的薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的有机发光元件，并且所述有机发光元件包括第一电极，第二电极，在第一电极和第二电极之间的发光层，在第二电极和发光层之间的电子注入层以及在电子注入层和第二电极之间的阻挡层，其中阻挡层具有比第二电极的功函大的功函。

阻挡层和第二电极之间的功函差可以小于或等于约1.0eV。

阻挡层可以包括选自由Ag、Al、Fe、In、Ti、Zn、Cr、Mn、Cu、Ga、Zr、Nb、Mo、Sn、Ta、W、Tl、Bi、Pb或者Sb组成组中的至少一个。

第二电极可以包括Ag单层，或者Ag和具有小于或等于约4.0eV的功函的金属。

在第二电极中，由Ag占据的体积与由所述具有小于或等于约4.0eV的功函的金属占据的体积的比例可以在约10:1至约10:3的范围内。

第二电极可以包括AgMg合金或者AgAl合金。

第二电极可以包括多个层，该多个层分别包括具有小于或等于约4.0eV的功函的金属和Ag。

电子注入层可以包括选自基于1族金属、2族金属、过渡金属或者后过渡金属的卤素偶极子材料中的至少一种，或者选自基于所述1族金属、所述2族金属、所述过渡金属或者所述后过渡金属的氧化物中的至少一种。

阻挡层的厚度可以小于或等于约5nm。

有机发光二极管显示器还可以包括在发光层和电子注入层之间的电子传输层，以及在第一电极和发光层之间的空穴传输层。