[发明专利]半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法

权利要求书

1.一种操作包括存储单元阵列和误差校正电路的半导体存储装置的方法，所述方法包括：

响应于从外部存储控制器接收的第一命令，选择所述存储单元阵列中的存储单元的页的至少一个子页；

从所述子页读取包括至少两个数据子单元和奇偶校验数据的第一数据单元，其中所述至少两个数据子单元包括第一数据子单元和第二数据子单元，所述第一数据子单元读取自所述子页的第一存储位置，所述第二数据子单元读取自所述子页的第二存储位置；

在所述误差校正电路中确定所述第一数据单元是否包括误差位；

当所述第一数据单元在所述第二数据子单元中包括误差位时，在所述误差校正电路中使用所述第一数据单元的奇偶校验数据校正所述误差位以提供校正的第二数据子单元；

将校正的第二数据子单元回写至所述子页的所述第二存储位置，其中所述第一数据单元的大小对应于所述半导体存储装置的码字单元的大小，所述第一数据子单元和所述第二数据子单元的各自的大小对应于在所述半导体存储装置的读操作和写操作中预取的数据大小；以及

其中，所述第一数据子单元和所述数据第二子单元的每个的大小小于所述码字单元的大小。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在回写校正的第二数据子单元后从所述外部存储控制器接收第二命令。

3.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一数据单元是否包括误差位是由所述误差校正电路通过基于所述第一数据单元生成综合数据来执行的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一命令对应于擦除命令，所述擦除命令通过使用与对应于指示所述半导体存储装置的读操作的读命令的信号不同的信号被编码。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述存储单元阵列包括多个体阵列，每个体阵列包括所述存储单元的多个页，每个页包括多个子页，以及

其中所述存储单元的所述多个页之一响应于所述第一命令被激活以提供激活的体，以及

校正的子单元数据被回写入对应于激活的页中至少两个子页的存储位置中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一命令是根据指定频率接收的，

其中所述存储单元阵列包括多个体阵列，每个体阵列包括存储单元的多个页，以及

其中响应于接收所述第一命令以所述指定频率顺序激活所述存储单元的多个页，并且顺序选择所激活的页中的多个子页。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一命令对应于指示所述半导体存储装置的刷新操作的刷新命令。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述存储单元阵列包括多个体阵列，并且每个体阵列包括存储单元的多个页，以及

其中响应于所述刷新命令激活存储单元的多个页之一，校正的数据子单元被回写至对应于所激活的页中的一个子页的存储位置。