[发明专利]二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201610915895.0 | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN107974013A | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 陈品良;李宇 | 申请(专利权)人: | 苏州今道创业投资有限公司 |
主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08L39/06;C08K3/22;C08J5/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 | 代理人: | 陆华君 |
地址: | 215699 江苏省苏州市张家港市杨舍镇滨河*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 pvdf trfe 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本申请涉及一种介电材料,特别是涉及一种二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜及其制备方法。
背景技术
储能材料作为一种应用前景广泛的功能型材料,具有非常好的储存电荷和均匀电场功能。电容器是一种重要的储能材料,被广泛应用于航空、家电、交通、通讯等各个领域。电介质材料是电容器一个重要的组成部分,电介质材料的储能性能很大程度上决定了电容器的性能。
单一的电介质材料已经难以满足工业化的需要。质量好、柔韧性好、易于加工成型、介电性能高的聚合物基复合材料因其优异的性能,被广泛应用于电容器、传感器、人工肌肉等领域。
发明内容
本发明的目的在于提供一种二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜及其制备方法,以克服现有技术中的不足。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本申请实施例公开一种二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜,包括PVDF-TrFE基体、以及掺杂于PVDF-TrFE基体内的二氧化钛,该二氧化钛的掺杂量为10~35%。
相应的,本申请还公开了一种二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜制备方法,包括:
(1)、制备纳米二氧化钛粉体;
(2)、将制备的纳米二氧化钛粉体溶解在DMF中,加入PVP和PVDF-TrFE,在40~60℃条件下超声分散20~30min;
(3)、在70~85℃条件下挥发溶剂;
(4)、于110~140℃退火3~5小时,获得二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜。
优选的,在上述的二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜制备方法中,所述步骤(1)中,制备纳米二氧化钛粉体方法包括:
s1、以二元醇为溶剂,氮气保护下加入四氯化钛,搅拌至混合均匀,然后加入旋转蒸发器,加热至160~200℃,加入去离子水旋转蒸发、回流5~10min;
s2、然后冷水浴冷却停止反应,得到含有纳米二氧化钛的透明溶液,向溶液中滴加丙酮,搅拌得到白色沉淀;
s3、对沉淀物进行过滤、洗涤、干燥得到纳米二氧化钛;
s4、将获得的纳米二氧化钛进行研磨,然后在400~800℃煅烧2~3小时,获得纳米二氧化钛粉体。
优选的,在上述的二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜制备方法中,步骤s1中,按体积比去离子水:四氯化钛=2~4:1。
与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明制备的复合薄膜的介电常数达到21.3;通过XRD分析,二氧化钛的适当掺杂可以提高PVDF-TrFE薄膜的结晶度,结晶温度提高到了138~139℃。
具体实施方式
本发明通过下列实施例作进一步说明:根据下述实施例,可以更好地理解本发明。然而,本领域的技术人员容易理解,实施例所描述的具体的物料比、工艺条件及其结果仅用于说明本发明,而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。
实施例1
本实施例中,二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜,包括PVDF-TrFE基体、以及掺杂于PVDF-TrFE基体内的二氧化钛,该二氧化钛的掺杂量为13%。
二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜制备方法:
(1)、纳米二氧化钛粉体的制备:
以二元醇为溶剂,氮气保护下加入四氯化钛,搅拌至混合均匀,然后加入旋转蒸发器,加热至200℃,加入去离子水旋转蒸发、回流10min,按体积比去离子水:四氯化钛=3:1;
然后冷水浴冷却停止反应,得到含有纳米二氧化钛的透明溶液,向溶液中滴加丙酮,搅拌得到白色沉淀;
对沉淀物进行过滤、洗涤、干燥得到纳米二氧化钛;
将获得的纳米二氧化钛进行研磨,然后在600℃煅烧3小时,获得纳米二氧化钛粉体。
(2)、将制备的纳米二氧化钛粉体溶解在DMF中,加入PVP和PVDF-TrFE,在60℃条件下超声分散30min;
(3)、在85℃条件下挥发溶剂;
(4)、于140℃退火3小时,获得二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜。
本实施例制备的复合薄膜的介电常数达到21.3;通过XRD分析,二氧化钛的适当掺杂可以提高PVDF-TrFE薄膜的结晶度,结晶温度提高到了139℃。
实施例2
本实施例中,二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜,包括PVDF-TrFE基体、以及掺杂于PVDF-TrFE基体内的二氧化钛,该二氧化钛的掺杂量为27%。
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