[发明专利]二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610915895.0 申请日: 2016-10-21
公开(公告)号: CN107974013A 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 陈品良;李宇 申请(专利权)人: 苏州今道创业投资有限公司
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08L39/06;C08K3/22;C08J5/18
代理公司: 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 代理人: 陆华君
地址: 215699 江苏省苏州市张家港市杨舍镇滨河*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 氧化 pvdf trfe 复合 薄膜 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本申请涉及一种介电材料,特别是涉及一种二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜及其制备方法。

背景技术

储能材料作为一种应用前景广泛的功能型材料,具有非常好的储存电荷和均匀电场功能。电容器是一种重要的储能材料,被广泛应用于航空、家电、交通、通讯等各个领域。电介质材料是电容器一个重要的组成部分,电介质材料的储能性能很大程度上决定了电容器的性能。

单一的电介质材料已经难以满足工业化的需要。质量好、柔韧性好、易于加工成型、介电性能高的聚合物基复合材料因其优异的性能,被广泛应用于电容器、传感器、人工肌肉等领域。

发明内容

本发明的目的在于提供一种二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜及其制备方法,以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

本申请实施例公开一种二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜,包括PVDF-TrFE基体、以及掺杂于PVDF-TrFE基体内的二氧化钛,该二氧化钛的掺杂量为10~35%。

相应的,本申请还公开了一种二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜制备方法,包括:

(1)、制备纳米二氧化钛粉体;

(2)、将制备的纳米二氧化钛粉体溶解在DMF中,加入PVP和PVDF-TrFE,在40~60℃条件下超声分散20~30min;

(3)、在70~85℃条件下挥发溶剂;

(4)、于110~140℃退火3~5小时,获得二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜。

优选的,在上述的二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜制备方法中,所述步骤(1)中,制备纳米二氧化钛粉体方法包括:

s1、以二元醇为溶剂,氮气保护下加入四氯化钛,搅拌至混合均匀,然后加入旋转蒸发器,加热至160~200℃,加入去离子水旋转蒸发、回流5~10min;

s2、然后冷水浴冷却停止反应,得到含有纳米二氧化钛的透明溶液,向溶液中滴加丙酮,搅拌得到白色沉淀;

s3、对沉淀物进行过滤、洗涤、干燥得到纳米二氧化钛;

s4、将获得的纳米二氧化钛进行研磨,然后在400~800℃煅烧2~3小时,获得纳米二氧化钛粉体。

优选的,在上述的二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜制备方法中,步骤s1中,按体积比去离子水:四氯化钛=2~4:1。

与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明制备的复合薄膜的介电常数达到21.3;通过XRD分析,二氧化钛的适当掺杂可以提高PVDF-TrFE薄膜的结晶度,结晶温度提高到了138~139℃。

具体实施方式

本发明通过下列实施例作进一步说明:根据下述实施例,可以更好地理解本发明。然而,本领域的技术人员容易理解,实施例所描述的具体的物料比、工艺条件及其结果仅用于说明本发明,而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。

实施例1

本实施例中,二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜,包括PVDF-TrFE基体、以及掺杂于PVDF-TrFE基体内的二氧化钛,该二氧化钛的掺杂量为13%。

二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜制备方法:

(1)、纳米二氧化钛粉体的制备:

以二元醇为溶剂,氮气保护下加入四氯化钛,搅拌至混合均匀,然后加入旋转蒸发器,加热至200℃,加入去离子水旋转蒸发、回流10min,按体积比去离子水:四氯化钛=3:1;

然后冷水浴冷却停止反应,得到含有纳米二氧化钛的透明溶液,向溶液中滴加丙酮,搅拌得到白色沉淀;

对沉淀物进行过滤、洗涤、干燥得到纳米二氧化钛;

将获得的纳米二氧化钛进行研磨,然后在600℃煅烧3小时,获得纳米二氧化钛粉体。

(2)、将制备的纳米二氧化钛粉体溶解在DMF中,加入PVP和PVDF-TrFE,在60℃条件下超声分散30min;

(3)、在85℃条件下挥发溶剂;

(4)、于140℃退火3小时,获得二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜。

本实施例制备的复合薄膜的介电常数达到21.3;通过XRD分析,二氧化钛的适当掺杂可以提高PVDF-TrFE薄膜的结晶度,结晶温度提高到了139℃。

实施例2

本实施例中,二氧化钛/PVDF-TrFE复合薄膜,包括PVDF-TrFE基体、以及掺杂于PVDF-TrFE基体内的二氧化钛,该二氧化钛的掺杂量为27%。

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