[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底；

纳米线结构，形成在所述衬底上方，其中，所述纳米线结构包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间；

栅极结构，形成在所述纳米线结构的所述第三部分周围；

源极区域，形成在所述纳米线结构的所述第一部分中并且具有第一掺杂浓度，

其中，所述纳米线结构中的耗尽区的长度长于所述栅极结构的长度并且没有与具有所述第一掺杂浓度的所述源极区域接触，并且其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分掺杂有相同类型的掺杂剂，并且所述源极区域的所述第一掺杂浓度大于所述第二部分中的第二掺杂浓度，所述第二部分中的与所述第三部分接触的部分的掺杂浓度与所述第三部分的掺杂浓度相同。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述耗尽区在所述纳米线结构的所述第三部分和所述第二部分中延伸并且没有在所述纳米线结构的所述第一部分中延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述耗尽区的长度和所述栅极结构的长度的比率大于1.05。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述纳米线结构的所述第二部分的所有部分的掺杂浓度和所述第三部分中的掺杂浓度相同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一部分和所述第三部分由所述纳米线结构的所述第二部分分隔开，并且所述第二部分的长度不小于所述栅极结构的长度的0.5倍。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二部分配置为足够长以使所述耗尽区延伸至所述第二部分以使所述耗尽区的长度大于所述栅极结构的长度而没有与所述源极区域接触。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，关闭状态下的所述耗尽区的长度与所述栅极结构的长度的比率大于1.05。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二部分中的与所述第一部分接触的部分的掺杂浓度大于所述第三部分中的掺杂浓度。

9.一种半导体结构，包括：

衬底；

纳米线结构，形成在所述衬底上方，其中，所述纳米线结构包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分，并且所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间；

栅极结构，形成在所述纳米线结构的所述第三部分周围；

源极区域，形成在所述纳米线结构的所述第一部分中；以及

漏极区域，形成在所述纳米线结构的所述第五部分中，

其中，耗尽区在所述纳米线结构的所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分中延伸，并且所述纳米线结构的所述第二部分的长度足够大，从而使得在所述半导体结构的“关闭”状态下，所述耗尽区没有与所述源极区域和所述漏极区域接触，并且

其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分掺杂有相同类型的掺杂剂，所述第一部分中的掺杂浓度大于所述第二部分中的掺杂浓度，并且所述第二部分中的掺杂浓度大于所述第三部分中的掺杂浓度，所述第二部分的与所述第一部分接触的部分的掺杂浓度大于所述第二部分的与所述第三部分接触的部分的掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述栅极结构的第三长度等于所述纳米线结构的所述第三部分的长度。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中，所述第二部分具有第二长度，并且所述第二长度和所述第三长度的比率在从0.1至1的范围内。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分、所述第四部分和所述第五部分用所述相同类型的掺杂剂掺杂。