[发明专利]一种p型LaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610914165.9 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711228B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;吕容恺;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟;王煦丽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lamsno 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种p型LaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：在所述LaMSnO中，La为+3价，M为Nb，且M为完全氧化化学价态，即Nb为+5价；La与M共同与O结合形成材料的p型导电基体；Sn为+4价，具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用；且所述LaMSnO为LaNbSnO时，p型LaNbSnO非晶氧化物半导体薄膜化学式为LaNbSnxO4+2x，其中0.1≦x≦0.4。
2.根据权利要求1所述的一种p型LaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：p型LaNbSnO非晶氧化物半导体薄膜的空穴浓度1013～1014cm-3。
3.如权利要求1或2所述的一种p型LaMSnO非晶氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于：制备p型LaNbSnO非晶氧化物半导体薄膜的步骤包括如下：
(1)以高纯La2O3、Nb2O5和SnO2粉末为原材料，混合，研磨，在1100℃的O2气氛下烧结，制成LaNbSnO陶瓷片为靶材，其中La、Nb、Sn三组分的原子比为1:1:(0.1～0.4)；
(2)采用射频磁控溅射方法，将衬底和靶材安装在溅射反应室中，抽真空至真空度不高于1×10-3Pa；
(3)通入Ar-O2为工作气体，气体压强9～12Pa，Ar-O2流量体积比为10:5～10:7，溅射功率140～150W，衬底温度为200～500℃，在Ar-O2离子的轰击下，靶材表面原子和分子溅射出来，在衬底上沉积形成一层薄膜，在100～200Pa的O2气氛下自然冷却到室温，得到p型LaNbSnO非晶薄膜。
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